[반도체] 반도체 공정

*정*

최초 등록일: 2004.05.26
최종 저작일: 2004.05; 13페이지/ 한컴오피스; 가격 1,000원

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1. Crystal Growth

(1) 단결정 성장법
1950대 중반 이후로 반도체 공업의 경이적인 성장은 실리콘에 관련된 기술의 발전에 의하여 비롯되었다. 1947년 게르마늄(germanum) 트랜지스터의 개발을 시점으로 상업성이 있는 반도체의 단결정 성장법의 연구가 활성화되기 시작하여 현재는 10인치 이상의 대구경 실리콘 단결정이 생산되기에 이르렀다. 초크랄스키(Czochralski, CZ)법으로 알려진 대표적인 단결정 성장법은 30여년 전에 CZ에 의해서 발명된 것으로서 CZ법에 의해 성장된 단결정은 전세계적으로 태양전지뿐만 아니라 집적회로(Integrate Circuits, ICs) 제조를 위한 기판으로 가장 널리 사용되고있다. CZ법에 의해 생산된 실리콘 단결정은 실리콘 고집적회로 제조에 적절한 정도의 고순도 및 대구경의 웨이퍼에 대한 요구를 만족시키고 있어 가장 대표적인 단결정 성장법으로 널리 활용되고 있다.
플롯 존(Float Zone, FZ) 법은 CZ법외에 유일하게 단결정 실리콘을 상업적으로 생산할 수 있는 방법이다.

참고 자료

1) http://www.ofthinfilm.com/thinfilm/thinfilm.htm
2) 윤현민, 이형기 , 반도체 공학, 복두출판사, 1995, pp.218
3) 김형열, 반도체 공정 및 측정 , 전자자료사, 1995, pp.123
4) Gary S. May, Simon M.Sze, Fundamentals of Semiconductor Fabrication

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