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반도체공정설계(MOS capacitor, TFT) 제작 과정 및 특성 분석 PDF

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최초 등록일
2021.04.19
최종 저작일
2020.12
20페이지/파일확장자 어도비 PDF
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목차

1. MOS capacitor 동작원리
2. MOS capacitor 제작
3. MOS capacitor 측정 결과
4. TFT 동작원리
5. TFT 제작
6. TFT 측정 결과

본문내용

VG=0V
ideal 경우 Fermi Level이 같으므로 평형을 이룬다.

1. MOS capacitor 동작원리 Non-ideal Case
실제물질들은 서로 다른 Work function을 가지고 있다.
Work function이 낮은 물질에서 높은 물질로 전자가 이동함으로써 두 Fermi Level이 같아진다.
Energy Level의 연속성을 유지하면서 Work function 차이 만큼 Bending이 일어난다.

참고 자료

없음
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