반도체공정 Report-3

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DRAM(Dynamic random access memory)은 1967년 IBM의 Dennard 박사에 의하여 1 MOStransistor + 1 capacitor cell 구조를 이용하여 발명되었다. 이후 1970년 Intel에 의해 1Kb MOS DRAM이 개발된 이래 삼성전자에 의한 1992년 64Mb DRAM 개발, 1994년 256Mb DRAM 개발, 그리고 현재에 이르기까지 고집적화 및 대용량화를 위한 DRAM 소자의 개발은 급속도로 발전하고 있다. 또한, 이와 같은 메모리 소자의 발전은 mobile, wireless 제품에 대한 사회의 요구가 증가함에 따라 더욱 더 가속화되고 있다. Commodity DRAM 및 embedded DRAM 소자의 집적화를 위해서는 여러 소자 공정 요소 기술의 개발이 중요하지만 그 중에서도 data의 저장 역할을 수행하는 capacitor 요소 기술 개발이 매우 중요하다. DRAM의 고집적화가 진행될수록 cell 당 할당되는 면적은 감소하는 반면, 소자가 동작하기 위해 필요한 정전용량은 cell의 크기에 관계없이 25fF/cell 의 일정한 값을 유지해야 한다.

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