반도체 공정 실습보고서

소개글

서울대학교 반도체공동연구소에서 진행한 반도체 공정 교육관련 실습 보고서입니다. A+맞은 보고서이니 잘 사용하셨으면 좋겠습니다.

반도체 공정(웨이퍼)이 어떤 과정에 의해 이루어지는지에 대해 사진과 함께 설명하는 보고서입니다.

목차

Ⅰ. 웨이퍼 준비

Ⅱ. 웨이퍼 공정
1. 클리닝 공정
2. 이온주입공정
3. 산화 공정
4. 금속공정
5. 사진 식각 공정
6. MOS C-V Measurement

본문내용

▶ 웨이퍼 준비
1. 웨이퍼의 종류: 웨이퍼는 p형과 n형이 있으며 결정 방향에 따라 (0 0 1)부터 (1 1 1)으로 나누어짐
2. 채널의 종류에 따라 도핑타입, 도핑농도에 따라 저항특성, 결정방향에 따라 면밀도 차이로 인한 특성이 바뀜.

▶ 웨이퍼 공정
1. 클리닝 공정
▷ 클리닝 공정 목적: “Si wafer 표면 위 공기 중 산소와 만나 형성된 얇은 산화층과 먼지를 제거하기 위함”.
SPM-Clean 황산과 과산화수소수의 혼합용액으로 웨이퍼 표면 유기물과 금속이물질을 제거(600초)
APM-Clean 암모니아와 과산화수소의 혼합용액인 SC1 용액으로 먼지와 유기 오염물 제거(600초)
HPM-Clean 염산과 과산화수소의 혼합용액인 SC2 용액으로 금속 오염물 제거(600초)
HF-Clean 세정공정중 만들어 질 수 있는 자연산화막을 DHF용액으로 제거(60초)

2. 이온주입공정
▷ 이온주입 공정 목적: “극성을 띠는 이온을 가속시켜 웨이퍼 표면에 쏘면 웨이퍼표면 농도가 변화할 것이다.”  주입한 이온에 따라 n-type, p-type으로 나누어진다.

참고 자료

없음