실험9. MOSFET의 특성 예비보고서

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본문내용

1. 실험목적
a.소자 문턱 전압과 소자 전도도변수를 측정해 본다
b.MOS 소자의 특성 곡선을 측정해보고 이를 통해서 MOS의 여러 특성에 대해 알아본다

2. 기초이론
전계-효과 트랜지스터
BJT와 마찬가지로 FET에서도 두 단자사이의 전압이 제 3의 단자에 흐르는 전류를 제어한다 따라서 FET는 증폭기나 스위치로 사용될 수 있다. FET에는 여러 종류가 있지만 주로 사용되는 것은 MOSFET이다. BJT에 비해 MOS 트랜지스터는 아주 작게 만들 수 있고 제조 공정이 비교적 간단하다 더욱이 MOSFET만을 이용하여 디지털 논리 기능과 메모리 기능을 실현할 수 도 있다. 이런 이유로 현재의 대부분의 VLSI회로는 MOS기술로 만들어 지고 있다.

전류 전도를 위한 채널의 형성
NMOS트랜지스터의 경우 게이트가 소스에 대하여 양의 전위를 가지고 있다면 자유 정공들을 게이트 아래의 기판 영역으로부터 밀어낼 것이다 이 정공들은 기판의 아래쪽으로 밀려날 것ㅇ고 정공들이 있던 자리에는 캐리어 공핍 영역이 남게된다.

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없음

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