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"Si film" 검색결과 121-140 / 674건

  • 파일확장자 PZT박막 Capacitor에 관한 기초연구(I)
    As-depo.시에는 PZT film의 조성비가 균일하게 유지되었으나 750˚C후속열 처리시에는 상당량의 Pb가 Si기판으로 diffusion하였으며 Si도 out-diffusion하였다 ... RF magnetrom sputtering으로 52/48 PZT target을 사용하여 PZT thin film을 증착시킨후, furnace annealing을 실시하여 Si 기판에서는 ... SiO2기판에서는 후속열처리후에도 안정한 PZT film을 형성시킬 수 있었다.
    논문 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 파일확장자 실리콘 이종접합 태양전지의 Zn 확산방지층에 의한 TCO/a-Si:H 층간의 계면특성 변화
    When depositing AZO thin film on a-Si layer, oxygen atoms are diffused from the AZO thin film towards ... the a-Si layer. ... toward a-Si in the case of ITO used as TCO.
    논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 파워포인트파일 수소화 비정질 실리콘
    - 수소화 비정질 실리콘 - Thin Film Solar cells(amorphous Silicon) 응용 9 조 Contents Unit 01 ㅣ 역사 Unit 02 ㅣ 수소화 비정질 ... Young, M.Romero , W.Metzger,R.Noufi,J Ward,A.Duda,Improved perfomance In Thin-film solar cells, Prog ... :H 태양전지가 만들어지고 , a-SI:H 태양전지 기술은 눈부시게 발전하였다 . 1980 년대 초기에는 a-Si:H 태양전지의 연구는 a-Si:H 를 기반으로 하는 합금의 개발과
    리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.11
  • 파워포인트파일 반도체 세대별 태양전지
    비정질 실리콘 제작 , 형성 진공 , 플라즈마를 이용한 증착법 Thin Film Thin Film Solar Cell 박막태양전지 [ : 薄膜 太陽電池 ] 박막 태양전지 a-Si:H ... 비정질 실리콘 제작 , 형성 진공 , 플라즈마를 이용한 증착법 Thin Film Thin Film Solar Cell 박막태양전지 [ : 薄膜 太陽電池 ] 박막 태양전지 a-Si:H ... 비정질 실리콘 제작 , 형성 진공 , 플라즈마를 이용한 증착법 Thin Film Thin Film Solar Cell 박막태양전지 [ : 薄膜 太陽電池 ] 박막 태양전지 a-Si:H
    리포트 | 53페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.12.09
  • 파워포인트파일 요천추신경총손상 lumbosacral plexopathy
    Traumatic lesions Incomplete injury 가 대부분 SI joint separation 인 경우 lumbosacral nerve root avulsion 이 ... 악화되는 경우 radicular process 가능성이 크다 그러나 pelvic tumor, aneurysm 등 에서도 양성일 수 있음 Palpable mass on DRE Plain film
    리포트 | 126페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.10.31
  • 파일확장자 리튬 이차전지에서 Si 음극박막의 스퍼터링 증착조건에 따르는 구조적, 전기화학적 특성 연구
    Si thin film anode. ... In addition, thinner Si film anodes showed better cycling performance. ... thin film on the electrochemical properties, microstructural properties and the capacity fading of a
    논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 워드파일 실리콘 웨이퍼에 패터닝 후 에칭과 P/N type 판정
    실험결과 및 고찰 에칭(Etching) 여부 확인 웨이퍼의 색깔 Si회색 Sio2푸른색 웨이퍼의 전도성 Si저항이 작다. 전기가 통한다 Sio2저항이 크다. ... Film Thickness( μm) Color 0.10 Tan 0.30 Blue to violet blue 0.60 Carnation pink 0.80 Orange 색 도표 비교로 ... 웨이퍼의 친/소수성 Si소수성SiO2친수성 P/N type 확인 측정결과 n형 반도체로 확인되었다.
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.18
  • 파일확장자 p-Si 기판에 성장한 BaTiO3 박막의 두께와 구조적 특성과의 관계
    Instead of the oxide substrates generally used for the growth of BaTiO3 thin films, p-Si substrates which ... The results obtained in this study clearly revealed BaTiO3 thin films grown on a p-Si substrate such ... The SEM analysis revealed that Si/BaTiO3 are good quality interface characteristics within 300 nm when
    논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 한글파일 기계공학실험 보고서 - 마이크로 표면측정
    입자들은 직성방향으로 나아가려는 경향이 있기 때문에 물리적 방법으로 도포되는 film은 일반적으로 directional 한 상태가 된다. ... energy Si > Glass > PDMS Spreading energy Si > Glass > PDMS 이번 실험에서는 Sessile drop method를 이용하여 접촉각(contact ... Substrate Si Glass PDMS contact angle 42.1 70 97.25 친/소수성 친수성 친수성 소수성 Wettability Si > Glass > PDMS Adhesion
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.03.09
  • 한글파일 투명 디스플레이와 플렉서블 디스플레이
    SKC Haas Display Films 한국광확산필름 시장의 선두주자인 SKC Haas는 2003년 제조·판매에 돌입한 이후 2007년 마이크로렌즈필름(MLF)을2차 또는 3차의 ... 소재를 사용하는 경우에도 Si소자 정도의 안정성을 확보할 수 있는가 하는 것이다.투명전자소자를 제조하기 위한 기술과 설계 기술은 기존의 평판 디스플레이 제조 기술 및 설계 기술과 ... 표면 제어 기술,결함 치유 기술,계면 처리 기술 공정종합기술 패시베이션 기술,각 공정 간의 정합성 확보 자료 : IITA TTFT 소자 기술에서 가장 중요한 부분은 안정성의 확보로 Si이외의
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.02.18
  • 파일확장자 NH4OH용액이 반도체 소자용 구리 박막 표면에 미치는 영향
    A 20 nm Cu film was deposited on Ti / p-Si (100) by sputter deposition and was exposed to air for growth ... According to XPS results, Si ingredient was detected on the surface of all Cu films pretreated with TS ... This Si ingredient(a kind of silicate) may result from the TS-40A solution, because sodium metasilicate
    논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 파일확장자 CdSe/ZnS 나노결정 양자점 Pyrolysis 제조와 발광다이오드 소자로의 응용
    on a Si substrate. ... ~5 nm thick TiO2 thin film, which is inherently an n-type semiconductor. ... A simple p-n junction could be formed when nanocrystal QDs on a p-type Si substrate were embedded in
    논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 파워포인트파일 압전열전발전(대학원과정)
    conductivity) 구분 사진 장점 단점 Bulk Material (3 차원 ) 제작 용이 상용화 가능 낮은 효율 ( 최대 5%) 제작 시 재료의 양이 많이 필요 Thin Film ... , Co-Si 계를 위시한 천이 금속 Silicides 1821 1843 1851 독일의 물리학자 Thomas Johann Seebeck (1770-1831) 에 의해 제백효과 발견 ... Bi- Te 계를 위시한 Vb 족 Tellurides 중온역 (250~550℃) Pb-Te , Ge- Te 계 등 IVB 족 Tellurides 고온역 (550~1200℃) Fe-Si
    리포트 | 43페이지 | 4,000원 | 등록일 2019.04.12
  • 한글파일 태양전지 과제
    C-Si와 동일한 구조를 가지며, Si-wafer 준비 비용을 줄이기 위하여 박막(Thin film)으로 쓰기도 합니다. - 비정질 Si Solar Cell (Amorphous Si ... Thin Film Solar Cell) p,n 사이에 불순물 없는 i층이 형성된 구조를 가집니다. ... 단결정 Si보다 흡수계수가 크고, 큰 밴드갭을 가지지만, recombination center이 많으므로 효율은 그리 좋지 않습니다 단결정 Si Solar Cell 과 다결정 Si
    리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.12.03
  • 한글파일 플렉시블디스플레이의 종류, 장점, 기술
    TFT 공정 OLED용 TFT는 LCD와 같은 공정을 이용하여 비정질 실리콘(a-Si)으로 기판을 구성한 이후에 ELA(Eximer Laser Annealing) 장비로 레이저를 조사해 ... 열 및 유기용매에 늘어나거나 수축되지 않는 Film 안정성이 좋아야 함 5. ... 플라스틱 기판의 기초 소재인 Base Film은 합성수지의 유연성을 유지하면서 유리기판의 특성을 동시에 만족시켜야 한다.
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.04.07
  • 워드파일 [인하대 A+ 실험보고서] 공업화학실험 패터닝 결과보고서
    패터닝 Patterning and treatment of SiO2 thin film 나는 자랑스런 인하인으로, 스스로의 힘으로 정직하게 레포트를 작성하였습니다.” + 이름 + 서명 ... 서론(실험개요, 목적, 필요성 등을 서술) 본 실험은 산화막(Si02) 위에 패터닝을 한 뒤에 식각공정에서 공정변수에 변화를 주어 변수가 식각공정에 미치는 결과를 비교하고 공정변수 ... Process problem p형 반도체와 n형 반도체는 Si으로 이루어진 순수한 반도체에 각각 13족 원소나 15족 원소를 불순물로 첨가하는 도핑(Doping) 통하여 제작할 수
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.03.05
  • 파일확장자 표면텍스처링된 이중구조 Ag/Al:Si 후면반사막의 광산란 특성
    Highly textured Ag, Al and Al:Si back reflectors for flexible n-i-p silicon thin-film solar cells were ... films increased from 11 nm to 95 nm, whereas that of the pure Ag films increased from 6 nm to 47 nm ... Although Al:Si back reflectors with larger surface feature dimensions than pure Ag can be fabricated
    논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 파일확장자 운모기판을 이용한 다결정 Si 전이막 성장 연구
    한국재료학회 한국재료학회지 박진우, 엄지혜, 안병태, 정영권
    논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 워드파일 반도체 제조공정 이론 정리
    또한 균일한 Step Coverage와 Epitaxy Flim 성장이 가능해 Film Quality가 좋다. ... Poly-Si, Si3N4, Oxide, W 증착 등에 이용된다. ... CVD 반응기구 Reactive Gas가 Chamber로 유입 후, Gas를 열이나 플라즈마로 활성화 분해 하면 가스들이 기판 표면에 흡착되고, 표면에서 화학반응이 일어나 Film
    시험자료 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.06.24 | 수정일 2022.10.17
  • 파일확장자 기판 세정특성에 따른 표면 패시배이션 및 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 특성변화 분석
    It is observed that the passivation quality of a-Si:H thin-films on c-Si wafers depends highly on the ... :H thin film deposition. ... :H/c-Si.
    논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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