실리콘 웨이퍼에 패터닝 후 에칭과 P/N type 판정

*영*
최초 등록일
2018.08.18
최종 저작일
2018.08
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국민대 신소재기초실험 1
보고서입니다.
참고용으로 좋습니다.

목차

1. 제목
2. 실험목적
3. 이론적 배경
4. 실험방법
5. 실험결과 및 고찰
6. 참고문헌

본문내용

1. 제목
실리콘 웨이퍼에 패터닝 후 에칭과 P/N type 판정

2. 실험목적
실리콘을 이용하여 반도체 제조 공정의 기본인 리소그래피와 에칭을 한다.

3. 이론적 배경
① 리소그래피 방법
1) 웨이퍼 세척
웨이퍼 표면의 입자 문제뿐만 아니라 유기물, 이온, 금속 불순물의 오염을 막기 위해 화학적으로 세척을 한다. 웨이퍼 표면에 형성되는 산화막을 제거하기 위해 HF용액을 사용한다.
2) 장벽 형성
실리콘 웨이퍼에 장벽층으로 사용할 물질들을 도포한다. 가장 일반적인 물질은 실리콘 산화막이다.
3) 감광 처리
실리콘 산화막층을 형성한 후에, 웨이퍼 표면에 빛에 민감한 감광제를 도포한다. 접착력을 증진시키기 위해 실리콘 표면은 HMDS라는 물질을 사용하여 처리한다. 감광제는 일반적으로 액체 상태로 사용한다.
4) 소프트 베이킹
소프트 베이킹은 감광제의 용제를 제거하고, 접합을 향상시키기 위한 건조 과정이다. 오븐의 온도는 60~100℃로 공기나 질소 가스 분위기에서 5~10분 정도 건조시킨다.

참고 자료

재료과학과 공학- 박인규,이재갑,김용석,김형준 옮김
아날로그 반도체 회로설계- 손기성
반도체공정개론- Richard C. Jaeger
반도체 소자 공정기술- Michael Quirk, Julian Serda 원저 / 최성재 옮김
반도체 개론과 공정- 공학박사 변인수, 김동선 공저
일반화학- John E. McMurry , Robert C. Fay
반도체 집적 공정- 곽계달, 김태환, 박재근, 박종완, 전형탁
*영*
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