반도체공정

*봉*

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최초 등록일: 2004.12.26
최종 저작일: 2004.12; 26페이지/ MS 파워포인트; 가격 1,500원

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웨이퍼 제조 및 회로설계 순서
1. 단결정성장
2. 규소봉절단
3. 웨이퍼 표면 연마
4. 회로설계
5. MASK제작
6. 산화공정(OXIDATION)
7. 감광액(PR) 도포
8. 노광(EXPOSURE)
9. 현상(DEVELOPMENT)
10. 식각(ETCHING)
11. 이온주입(ION IMPLANTATION)
12. 화학기상증착(CVD)
13. 금속배선(METALLIZATION)
14. 웨이퍼 자동 선별
15. 웨이퍼 절단
16. 칩 집착(DIE BONDING)
17. 금속 연결(WIRE BONDING)
18. 성 형(MOLDING)
19. 최종검사

본문내용

1. 단결정 성장
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 seed결정을 접촉하고 회전시키면서 단결정 ingot을 성장시킴

2. 규소봉 절단
성장된 Si ingot을 균일한 두께의 얇은 wafer로 잘라낸다.

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