반도체 공정과정

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"반도체 공정과정"에 대한 내용입니다.

본문내용

1. Ingot 성장
CZ초크랄스키법, Fz(플로팅 존법)

2. 웨이퍼 만들기 (결정 성장 후 성형 공정 필요)
1. 단결정 Si(Seed) 잉곳(Ingot)의 밑단제거
2. 다이아몬드 톱을 이용하여 균일 두께로 얇게 절단
3. 웨이퍼 완성

3. Lapping , Polishing
- 절단 직후의 웨이퍼에는 표면에 흠이 있기 때문에 연마액 혹은 연마장비를 이용하여 표면을 매끄럽게 만들어줌.

4. 산화공정
- 고온에서 산소 또는 수증기를 웨이퍼 표면에 뿌려 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2) 형성

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