[반도체]반도체웨이퍼 제조공정 및 단결정성장

최초 등록일
2006.03.04
최종 저작일
2004.12
29페이지/한글파일 한컴오피스
가격 2,600원 할인쿠폰받기
판매자*재* (본인인증회원) 190회 판매
다운로드
장바구니
퀴즈풀이 출석이벤트

소개글

반도체 제조공정중 재료산업인 웨이퍼 제조공정에 대해 자세히 다루고 있는 레포트 입니다. 단결정 성장을 통해 규소봉을 뽑아내는 과정에서 부터 잘라서 연마하는 과정까지 그 역사와 방법, 과정등이 많은 그림과 함께 알기 쉽게 설명이 되어있습니다. 또한 현재의 웨이퍼 시장이 어느 규모이며, 미래에는 얼마나 성장가능성이 있는지 전망등도 같이 설명이 되어있어서 반도체를 공부하는 학생이라면, 많은 도움이 되리라 생각됩니다.
가격이 조금 비싸다고 생각하실지 모르지만, 받아보시면 정말 후회하지 않으실 겁니다. 많은 도움이 되길 바라겠습니다.

목차

1. 제조공정 도식화

2. 웨이퍼 제조공정
- 단결정 성장
- 절단
- 경면연마
- 세척 및 검사

3. 단결정 성장
- Czochralski Growth(CZ법)
- Floating Zone Growth(플롯존법)
- 그 외의 결정 성장법
- 인장속도와 분리계수 K

4. Wafer Shaping/Grind/Lapping/Etching/Polishing

5. 웨이퍼미래전망-웨이퍼직경의 변화

6. 현 웨이퍼 제조회사

7. 참고문헌

본문내용

Ⅰ. Wafer Preparation
: 반도체 제조공정은 크게 재료산업과 소자산업으로 나눌 수 있다. 재료산업은 웨이퍼를 만드는 것이고 소자산업은 웨이퍼를 가공하여 표면위에 집적회로를 만들어내는 과정을 의미한다. 이번에 다룰 내용은 웨이퍼를 만들어 내는 과정인 재료산업을 주로 다루고자 한다. 현재 LG실트론이나 하이닉스 반도체등의 회사가 자체적으로 웨이퍼를 제작하고 있는데, 현재 수율과 생산성 향상면에서 웨이퍼의 기술개발이 반도체 제조에 없어서는 안될 연구과제로 떠오르고 있다. 그러므로 웨이퍼 제조공정을 정확히 이해하고, 개념을 숙지하며 현재의 기술력이나 앞으로의 발전 가능성등에 대해 알아보는 것은 중요한 의미를 지닐 것이다.
위 그림에 웨이퍼가 만들어 지는 과정을 간단히 도식화 하여 나타내었다. 모래에서부터 하나의 웨이퍼가 만들어 지기까지의 단계를 중요한 내용만 간략히 정리하여 보여주고 있는데, 웨이퍼 제조공정의 전체 흐름을 이해시키고자 그려보았다. 뒤에 자세히 설명을 하겠지만 전체적인 의미를 알아두고자 내용을 정리해보면, 먼저 모래인 SiO2를 활성탄(SIC)과 Furnace에서 용융시켜 반응을 유도하면 순도98%의 금속등급 규소(Mgs)를 얻을 수 있다. 하지만 이는 합금도금용으로 쓰이는 것으로 전자소자로의 응용을 위한 규소를 얻기 위해 다시 파쇄하여 HCl을 주입하여 반응시킨다. 그럼 규소염물이 생성되는데 이를 CVD공법을 이용하여 수소와 반응시켜, 즉 기상과 기상을 반응시켜 고상상태의 Si를 얻을 수 있다. 이는 순도 100%의 규소, 즉 Egs로 전자소자로의 응용이 가능하다. 하지만 다결정(poly)이기 때문에 단결정으로 만들어 주기위해 결정성장과정을 거친다. 결정성장법에는 CZ Growth나 Floating Zone Growth등이 있는데 주로 CZ Growth가 사용되고, 자세한 내용은 뒤에 다루도록 하겠다. 결정성장을 마치면 단결정 규소봉을 얻을 수가 있고, 이를 연마 하여 자른후 Lap, etching, Polishing 등의 공정을 마치면 하나의 웨이퍼를 얻을수가 있다.
모래에서부터 하나의 웨이퍼가 만들어 지기까지의 공정을 이렇게 그림과 함께 간략히 설명을 하였지만 실제로는 공정과정에 다양하고 복잡한 기술적 이론이 필요하고, 또한 높은 기술력도 요구된다. 보통 모래에서 Egs까지의 공정은 크게 어렵지 않지만 Egs를 가지고 단결정 성장시키는 것은 높은 기술력이 필요한 것으로 알려져 있다. 그래서 뒤에서 결정 성장 및 종류등에 대해 자세히 다루고 지금은 웨이퍼 제조까지의 단계를 다시한번 자세히 집고 넘어가도록 하겠다

참고 자료

- MICROELECTRONIC PROCESSING
- http://myhome.naver.com/bluelogic/link.html
- http://kin.naver.com/browse/db_detail.php?d1id=11&dir_id=110209&docid=1132652
- http://blog.naver.com/young2407.do?Redirect=Log&logNo=140009404837
- http://kin.naver.com/browse/db_detail.php?d1id=11&dir_id=110202&docid=1105638
- http://semicon.wonkwang.ac.kr/intro/data/process(99-2)02.pdf
- http://blog.naver.com/kio2957.do?Redirect=Log&logNo=60012704243
-http://kin.naver.com/browse/db_detail.php?d1id=11&dir_id=110209&docid=931049&ts=1092702156
- http://100.naver.com/100.php?id=1664
- http://kin.naver.com/browse/db_detail.php?d1id=11&dir_id=110202&docid=135495
- http://blog.naver.com/bc229.do?Redirect=Log&logNo=40008974958

자료후기(1)

자료문의

ㆍ이 자료에 대해 궁금한 점을 판매자에게 직접 문의 하실 수 있습니다.
ㆍ상업성 광고글, 욕설, 비방글, 내용 없는 글 등은 운영 방침에 따라 예고 없이 삭제될 수 있습니다.
ㆍ다운로드가 되지 않는 등 서비스 불편사항은 고객센터 1:1 문의하기를 이용해주세요.

*재*
Bronze개인인증
팔로워0팔로우
판매자 스토어 자료요청OFF
소개
회원 소개글이 없습니다.
전문분야 등록된 전문분야가 없습니다.
판매자 정보
학교정보
비공개
직장정보
비공개
자격증
  • 비공개
판매지수

주의사항

저작권 자료의 정보 및 내용의 진실성에 대하여 해피캠퍼스는 보증하지 않으며, 해당 정보 및 게시물 저작권과 기타 법적 책임은 자료 등록자에게 있습니다.
자료 및 게시물 내용의 불법적 이용, 무단 전재∙배포는 금지되어 있습니다.
저작권침해, 명예훼손 등 분쟁 요소 발견 시 고객센터의 저작권침해 신고센터를 이용해 주시기 바랍니다.
환불정책

해피캠퍼스는 구매자와 판매자 모두가 만족하는 서비스가 되도록 노력하고 있으며, 아래의 4가지 자료환불 조건을 꼭 확인해주시기 바랍니다.

파일오류 중복자료 저작권 없음 설명과 실제 내용 불일치
파일의 다운로드가 제대로 되지 않거나 파일형식에 맞는 프로그램으로 정상 작동하지 않는 경우 다른 자료와 70% 이상 내용이 일치하는 경우 (중복임을 확인할 수 있는 근거 필요함) 인터넷의 다른 사이트, 연구기관, 학교, 서적 등의 자료를 도용한 경우 자료의 설명과 실제 자료의 내용이 일치하지 않는 경우

찾던 자료가 아닌가요?아래 자료들 중 찾던 자료가 있는지 확인해보세요

  • 한글파일 반도체 - 결정 성장 17페이지
    반도체 공정 - 결정 성장 학번 : 이름 : 학과 : 담당교수 : ... Okmetic OYJ 의해 제조웨이퍼 초크 랄 스키 실리콘 (CZ-Si의 ... 이들 기판의 산소 농도는 집적 회로 제조에 사용되는 웨이퍼에서 전형적으로
  • 파워포인트파일 반도체 8대 공정 기술, 제조원료 및 제조기술(삼성 면접 자료) 22페이지
    액상의 실리콘 양이 적음 초크랄스키(CZ법) 플롯존(FZ) 반도체 제조원료-실리콘웨이퍼 ... 반도체 제조기술 1.다결정 실리콘 제조 2.결정 실리콘 제조 3.실리콘웨이퍼의 ... 실리콘웨이퍼 웨이퍼세척 반도체 제조기술-웨이퍼세척:RCA Removal
  • 파워포인트파일 반도체 웨이퍼 공정 9페이지
    직경결정 봉의 성장 가능함 . 3. ... 반도체 8 대 공정웨이퍼 공정 과 목 : 학 번 : 성 명 : 담당 ... 용액으로부터 일정한 결정 방위로 결정 실리콘을 성장시키는 방이며 반도체
  • 파워포인트파일 반도체 공정과정 10페이지
    목차 반도체 공정 CZ 초크랄스키 , Fz ( 플로팅 존 ) 1. ... 웨이퍼 만들기 ( 결정 성장 후 성형 공정 필요 ) 3. ... 결정 Si(Seed) 잉곳 (Ingot) 의 밑제거 2.
  • 파워포인트파일 진공펌프, 진공게이지, 쵸크랄스키 방 ppt 16페이지
    웨이퍼 (Wafer) - 반도체 소자의 기본이 되는 재료 - 실리콘 (Si ... 특징 반도체는 기술의 발전에 따라 점점 작아짐 → 작은 먼지와 작은 공정의 ... 측정한 물리량이 압력 / 압력으로 변환 가능한 물리량 인가에 따른 분류 ) 웨이퍼
  • 워드파일 VLSI공정 2장 문제정리 7페이지
    Poly Si의 전체를 지나면 결정 Si ingot으로 변하고, 직경은 ... 프로우팅 존 방(Floating Zone Method)은 결정 반도체를 ... 습식 세정 장치는 웨이퍼가 확산로에 들어가기 전에 표면에 성장한 원하지 않는
  • 워드파일 실리콘 웨이퍼에 패터닝 후 에칭과 P/N type 판정 8페이지
    이용하여 반도체 제조 공정의 기본인 리소그래피와 에칭을 한다. ... 따라서 큰 직경웨이퍼를 이용하여 반도체를 생산한다. ... 공정이 적정하다면 실리콘은 반도체 제조에 적합하고 순도를 갖는 다량의 형태로
더보기
우수 콘텐츠 서비스 품질인증 획득
최근 본 자료더보기
[반도체]반도체웨이퍼 제조공정 및 단결정성장