• 캠퍼스북
  • LF몰 이벤트
  • 파일시티 이벤트
  • 서울좀비 이벤트
  • 탑툰 이벤트
  • 닥터피엘 이벤트
  • 아이템베이 이벤트
  • 아이템매니아 이벤트

MOSFET의 특성 결과레포트

이오이오이오
개인인증판매자스토어
최초 등록일
2020.11.26
최종 저작일
2020.09
5페이지/한글파일 한컴오피스
가격 1,000원 할인쿠폰받기
다운로드
장바구니

소개글

이번학기 A+받은 결과레포트입니다
피스파이스 회로 및 시뮬레이션 결과까지 포함되어있습니다

목차

I. 실험 결과
1. 공핍형 MOSFET 드레인 특성곡선
2. 공핍형 MOSFET 전달특성곡선
3. 증가형 MOSFET 드레인 특성곡선
4. 증가형 MOSFET 전달특성 곡선

II. 결론

본문내용

● 실험 결과

1-1 공핍형 MOSFET 드레인 특성곡선
▶ 문턱전압이 약 1.7V이므로 게이트 전압이 0V , 1V 일때에는 문턱전압보다 게이트 전압이 낮기 때문에 드레인 전류가 생성되지 않는다. 따라서 그래프의 맨 밑에 0V와 1V 일 때 드레인 전류가 0A로 같이 나타나게 된다.
▶ 게이트 전압이 2V일 때에는 MOSFET의 문턱전압인 1.7V를 넘어섰기 때문에 드레인 전류가 약 2.34mA로 작게 나타나게 되는 것을 확인할 수 있다.
▶ 게이트 전압이 3V일 때에는 51mA, 4V일 때에는 165mA, 5V일 때에는 342mA로 증가하는 것을 확인할 수 있다.

1-2 공핍형 MOSFET 전달특성곡선
▶ 드레인 전압은 100V로 고정되어 있고 게이트전압을 0V에서 7V로 변화시키면서 생기는 드레인 전류의 특성곡선을 확인하기 위해 회로를 구성하였다.

▶ 문턱전압인 1.7V 전까지는 채널이 형성되지 않아 드레인 전류가 흐르지 않는 것을 확인할 수 있다.
▶ 게이트 전압이 1.7V 이상 증가함에 따라 채널이 형성되고 드레인 전류가 흐르게 되는 것을 확인할 수 있다.

<중 략>

●결론
이번 실험에는 MOSFET의 공핍형과 증가형에 따른 드레인 전류의 특성곡선과 전달특성을 살펴보았다.

참고 자료

없음

자료후기(1)

이오이오이오
판매자 유형Bronze개인인증

주의사항

저작권 자료의 정보 및 내용의 진실성에 대하여 해피캠퍼스는 보증하지 않으며, 해당 정보 및 게시물 저작권과 기타 법적 책임은 자료 등록자에게 있습니다.
자료 및 게시물 내용의 불법적 이용, 무단 전재∙배포는 금지되어 있습니다.
저작권침해, 명예훼손 등 분쟁 요소 발견 시 고객센터의 저작권침해 신고센터를 이용해 주시기 바랍니다.
환불정책

해피캠퍼스는 구매자와 판매자 모두가 만족하는 서비스가 되도록 노력하고 있으며, 아래의 4가지 자료환불 조건을 꼭 확인해주시기 바랍니다.

파일오류 중복자료 저작권 없음 설명과 실제 내용 불일치
파일의 다운로드가 제대로 되지 않거나 파일형식에 맞는 프로그램으로 정상 작동하지 않는 경우 다른 자료와 70% 이상 내용이 일치하는 경우 (중복임을 확인할 수 있는 근거 필요함) 인터넷의 다른 사이트, 연구기관, 학교, 서적 등의 자료를 도용한 경우 자료의 설명과 실제 자료의 내용이 일치하지 않는 경우

이런 노하우도 있어요!더보기

찾던 자료가 아닌가요?아래 자료들 중 찾던 자료가 있는지 확인해보세요

더보기
최근 본 자료더보기
  • 프레시홍 - 전복
탑툰 이벤트
MOSFET의 특성 결과레포트
  • 레이어 팝업
  • 레이어 팝업
  • 레이어 팝업
  • 레이어 팝업
  • 레이어 팝업
  • 레이어 팝업