[전자공학심화융합설계] A+반도체 실습 레포트

목차

1. PN Junction
2. MOSFET

본문내용

PN Junction
- Band Diagram of PN Junction
< 1e17 -> 1e16 > < 1e17 -> 1e17 > < 1e17 -> 1e18 >
위 그래프는 도핑농도에 따른 EC, EG, EV, Vbi를 확인 할 수 있는 Band Diagram 이다.
오른쪽으로 그래프로 갈수록 점점 도너 도핑농도가 증가한다. 그리고 그래프의 왼쪽부분은 P형반도체이며, 오른쪽은 N형 반도체이다. N형 반도체의 도핑농도를 증가시키는 방향으로 실습을 진행하였다. 그 결과 몇 가지 특징을 관측할 수 있었다. 여기서 관측할 수 있는 사실은 다음과 같다.
1. 도너 도핑농도를 높이게 될수록 N형쪽의 EC 값이 좀더 EF 에 가까워지는 것을 확인 할 수 있었다. (이는 곧 Conduction Band 내의 자유전자가 더 많아진다는 의미이다.)
( EF는 Fermi Level로 전자 존재확률이 50%가 되는 지점이다. 즉, EF의 윗 부분은 전자 존재확률이 50% 이상이란 뜻)

참고 자료

없음