실험13_전자회로실험_예비보고서_공통 게이트 증폭기

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목차

1.제목
2.실험절차
3.실험에 대한이론-예비보고사항

본문내용

1. 제목
- 공통 게이트 증폭기
2. 실험 절차
<공통 게이트 증폭기>
실험회로 1에서 V_DD 값을 12V, V_sig값을 0V, V_GG값을 6V, V_ss값을 4V로 두고, R_S 저항 값이 2kΩ인 경우 v_0의 DC 값이 6V가 되도록 하는 R_D 값을 결정한다. 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(V_D,V_G,V_S) 및 전류(I_D)를 구하고, 표에 기록한다. 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작 하는지 확인하시오.
V_sig값을 0V, V_ss 전압을 0V, 12v, 3V~9V는 500mv 간격으로 변화시키면서 v_O 의 DC 전압을 측정하여 표에 기록하고, 입력-출력 전달 특성 곡선을 그리시오.
포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 g_m값, 출력 저항 r_0를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 공통 게이트 증폭기 회로의 이론적인 전압 이득을 구하시오.

참고 자료

없음