전자회로 설계 및 실험 10. 소스 공통 증폭기 예비보고서

목차

1. 실험제목
2. 실험목표
3. 배경지식
4. 실험방법

본문내용

실험제목
소스 공통 증폭기

실험목표
1. MOSFET의 드레인 특성을 실험적으로 결정한다.
2. MOSFET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
3. 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정한다.

배경지식
JFET와 마찬가지로 MOSFET도 드레인 전류 I_D가 게이트 전압에 의해 제어되는 전계 효과 트랜지스터이다. MOSFET와 JFET는 물리적으로나 동작에 있어서 다르다. MOSFET는 제작되는 방식에 따라 디플리션(depletion)형 또는 인행스먼트(enhancement)형으로 된다. MOSFET는 JFET보다 훨씬 더 큰 입력 임피던스를 갖는다.

1. 인핸스먼트형 MOSFET
[그림 10-1] 인핸스먼트형 MOSFET의 구조
인핸스먼트형에서는 드레인과 소스 사이에 채널이 형성되어 있지 않고, N형 드레인과 그림 10-1에서 보는 바와 같이 P형 기판에 의해 분리되어 있다. 그림에서 보면 기판 위에 매우 얇은 SiO2 막(절연막)을 형성하고, 그 위에 게이트로 작용하는 금속이 증착된다. 그리고 게이트, 드레인, 소스 및 기판에 전극용으로 오믹(ohmic) 접촉이 형성된다.

참고 자료

없음