전자회로실험 BJT 전류 전압 특성

목차

1. 실험목적
2. 기초이론
3. PSPICE 시뮬레이션
4. 실험 결과
5. 실험 고찰

본문내용

1. 실험 목적
· 시뮬레이션을 통해 BJT의 전류-전압 특성을 예측한다.
· NPN형과 PNP형 BJT의 특성을 확인한다.
· NPN형과 PNP형 BJT의 특성을 확인한다.

2. 기초 이론
⦁구조
· 바이폴라 접합 트랜지스터는 N형과 P형으로 도핑된 3개의 반도체 영역과 이들에 의해 형 성되는 2개의 PN접합으로 구성된다. 이미터, 베이스, 컬렉터의 도핑 형태에 따라 NPN형과 PNP형으로 구분된다.

⦁동작모드
· 이미터-베이스 PN접합과 베이스-컬렉터 PN 접합의 바이어스 조건에 따라 차단 모드[열 린 스위치로 동작], 순방향 활성 모드[증폭기로 동작], 포화 모드[닫힌 스위치로 동작], 역 방향 활성 모드[사용되지 않음]로 동작한다.
· NPN형과 PNP형 BJT의 컬렉터-이미터 전압 대 컬렉터 전류 의 특성 곡선은 다음 그림과 같다.

⦁전류-전압 특성
· NPN형과 PNP형 BJT의 베이스, 이미터, 컬렉터 단자의 전류는 [그림 5-3]과 같다.
· 공통이미터 DC 전류이득 는 수십~수백 정도의 값을 가지며, 공통베이스 DC 전류이득 는 1에 가까운 값(0<<1)을 갖는다.

5. 실험 고찰
⦁고찰 [1]
[표 5-6]과 [표 5-8]의 측정 결과로부터, NPN형 BJT와 PNP형 BJT의 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, [표 5-2]와 [표 5-4]의 시뮬레이션 결과와 비교하라.

⦁고찰 [2]
[표 5-3]의 시뮬레이션 결과로부터, NPN형 BJT의 공통이미터 DC전류이득 와 공통베이스 DC 전류이득 를 구하고, [표 5-7]의 측정 결과로부터, NPN형 BJT의 공통 이미터 DC 전류이득 와 공통베이스 DC 전류이득 를 구하여 [표 5-10]에 기록하라.

참고 자료

없음