전자회로실험 예비보고서 - BJT 의 특성 ( A+ 퀄리티 보장 )

목차

1. 실험목적
2. 기초이론
3. 실험부품 및 장비
4. 실험과정
5. PSPICE 시뮬레이션
6. 참조문헌

본문내용

1. 실험목적
1) BJT(Bipolar Junction Transistor) 소자의 문턱 전압(threshold voltage)을 측정한다.
2)의 변화가 에 미치는 영향을 측정한다.
3) β를 측정 및 결정한다.
4) npn형 BJT의 컬렉터()특성 곡선군을 실험적으로 결정하고 그래프로 그린다.
5) 점 대 점 방법(point-by-point method)을 이용하여 BJT의 평균 컬렉션 특성 곡선군을 관측한다.

2. 기초이론

BJT 구성 및 특성, 동작 및 바이어스

바이폴라 트랜지스터(Bipolar Transistor)는 반도체의 pn 접합을 이용하여 만든 트랜지스터의 일종. 접합형 트랜지스터라고도 한다. pnp와 npn이라는 2가지 접합 구조가 있고 각각의 접합 구조에서는 전류가 흐르는 방향이 반대로 된다. 3단자 구조에서 각각의 명칭은 이미터(E), 베이스(B), 컬렉터(C)이다. 전류 증폭 및 스위칭 등의 역할로 사용된다. 바이폴라 트랜지스터라는 이름의 유래는, 동작에 관련된 캐리어가 전자와 정공 2종류가 있으므로 bi(2를 의미)라는 명칭이 사용되고 있다. polar는 극의 의미이다. 한편, 전기장 효과 트랜지스터(FET： Field Effect Transistor)는 동작에 관련된 캐리어가 전자 또는 정공뿐으로 1종류이기 때문에 uni(1을 의미)와 polar를 연결한 호칭이 사용되고 있다. 최초에 발명된 트랜지스터가 바이폴라 트랜지스터이기 때문에 현재에도 단순히 트랜지스터라고 하면 바이폴라 트랜지스터를 지칭하는 것이 많다.
p-n-p형의 n 영역과 n-p-n형의 p 영역은 베이스 영역이라고 한다. 트랜지스터에 전압이 가해지면 한 p-n 접합은 순방향으로 바이어스되고, 다른 p-n 접합은 역방향으로 바이어스된다. 전류는 순방향으로 바이어스된 p-n 접합을 통해서 흐른다.

참고 자료

Sedra, A., &Smith, K. C. (n.d.). Laboratory manual for microelectronic circuits (3rd ed., Vol. 1). Fort Worth, TX: Saunders College Pub.
Razavi, B. (2014). Fundamentals of microelectronics (2nd ed., Vol. 1). Hoboken, NJ: Wiley, John Wiley &Sons, Inc.