BJT 트랜지스터 특성 결과레포트
- 최초 등록일
- 2021.12.18
- 최종 저작일
- 2021.04
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목차
1. 실험결과&측정값
2. 고찰
본문내용
오늘은 BJT 소자의 기본 구조 및 원리를 이해하고자 멀티미터로 트랜지스터 측정과 전류-전압 특성 측정 실험을 진행하였다. BJT 소자 단자에 임의의 번호를 붙여 각각의 단자에 흐르는 전류를 멀티미터로 파악하고 트랜지스터 특성을 이용해 실험에 사용했던 트랜지스터가 NPN타입이고 1번 단자가 EMITTER 2번 단자가 BASE 3번 단자가 COLLECTOR임을 알아냈다. 전류-전압 특성 실험은 회로를 구성하고 I_B 전류가 10~50μA이 되도록 V_BB와 V_CE가 0-15V가 되도록 V_CC를 조정하고 V_RC I_C I_E α β를 측정하였다. I_B와 I_C의 관계를 구하고 I_C- V_CE그래프를 그려보았다. 그러나 실험 중 나온 V_RC값이 이론 값 보다 2배가 크게 나와 구하고자 했던 I_C값과 β을 구하지 못하였다. 그래서 Pspice로 실험회로를 구현하고 V_RC값을 시뮬레이션 값으로 대체했다. I_C값과 β도 시뮬레이션을 통해 구하였다. 시뮬레이션 값은 이론 값을 크게 벗어나지 않았다. 실험시간에 측정한 V_RC값을 이론 값과 비교해 보지 않아 측정이 잘못된 것을 몰랐다. 다음엔 측정결과 값이 나오면 이론 값과 비교하여 오차범위가 크면 다시 측정해야 겠다고 생각했다.
참고 자료
없음