충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 2.3 BJT DC 특성

목차

1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험 순서

본문내용

1. 실험 목적
BJT(Bipolar Junction Transistor)의 DC 특성인 , 특성을 측정하고 주요 SPICE 변수들을 구한다.
그리고, BJT의 콜렉터 및 에미터를 바꾼 상태에 역방향 SPICE 변수들을 구한다.
1) BJT의 DC 전류이득인 의 콜렉터 전류에 대한 변화, 즉, 특성을 측정한다.
2) BJT의 vs 특성에서 포화전류 IS를 구한다.
3) BJT의 특성을 측정하고 Early 전압 VAF를 구한다.
4) BJT의 콜렉터 및 에미터를 바꾼 상태에서 vs 특성을 측정하고 역방향 전류이득 을 구한다.
5) BJT의 콜렉터 및 에미터를 바꾼 상태에서 특성을 측정하고 역방향 Early 전압 VAR를 구한다.

2. 이론
일단 트랜지스터라고 하는 것은 앞에서 정리한 PN Junction Diode의 응용입니다.
왜냐하면 P형 반도체와 N형 반도체의 접합에 다시 N형이나 P형 반도체를 붙여서 만들었기 때문입니다.
하지만 사실 요즘은 FET(Field-effect Transistor)란 놈이 대세라서 점차 BJT가 밀리고 있지만 FET가 나오는 기반을 마련해준 것이 BJT입니다. 
일단 회로 기호와 종류는 아래 그림입니다.

참고 자료

없음