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BJT의 기본특성 [A+/PSpice/배경이론(교재카피)/예비레포트] 전자회로실험,이강윤

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최초 등록일
2021.06.19
최종 저작일
2021.06
21페이지/워드파일 MS 워드
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소개글

"[A+/PSpice/배경이론(교재카피)/예비레포트] BJT의 기본특성 전자회로실험,이강윤"에 대한 내용입니다.

1. 만점 받은 보고서 입니다.
2. (중요)고찰 사항이 포함되어있습니다.
3. 결론 및 고찰이 자세히 서술되어있습니다.
4. 오차분석이 이루어져 있습니다.
5. PSpice 시뮬레이션이 포함되어 있습니다.

목차

1. 실험 개요

2. 실험 기자재 및 부품

3. 배경 이론

4. 실험 회로 및 실험 절차
1) 실험 회로
2) 실험 절차

5. PSpice 시뮬레이션

6. 결론 및 고찰

본문내용

1. 실험 개요
바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통하여 확인한다.

2. 실험 기자재 및 부품
▸ DC 파워 서플라이
▸ 디지털 멀티미터
▸ 오실로스코프
▸ 함수 발생기
▸ Q2N4401(npn형 BJT) (1개)
▸ 저항
▸ 커패시터
▸ 브레드보드

3. 배경 이론
BJT는 p형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. [그림 4-1(a)][1]은 npn형 [그림 4-1(b)][1] 은 pnp형 BJT의 구조이다. Npn형 BJT의 이미터 영역은 n형, 베이스 영역은 p형, 컬렉터 영역은 n형으로 구성되어 있으며, pnp형 BJT의 이미터 영역은 p형, 베이스 영역은 n형, 컬렉터 영역은 p형으로 구성되어있다.

Npn형 BJT는 베이스와 이미터, 베이스와 컬렉터 사이에 PN접합이 존재하므로, PN 접합의 동작 영역에 따라서 BJT의 동작 영역이 결정된다. 하단의 표는 npn형 BJT의 동작 영역을 정리한 것이다. EBJ는 베이스와 이미터 사이의 PN 접합, CBJ는 컬렉터와 베이스 사이의 PN접합을 나타낸다.

참고 자료

이 강 윤. “정류회로,” in 단계별로 배우는 전자회로 실험 : 기본 소자부터 응용까지, 1^sted. 한빛아카데미, 2014, ch 4, pp. 81-97
유 관 호. (2021). Ch.4 Bipolar Junctions Transistors (BJTs) [pdf]. Available:
Adel S. Sedra. “Diodes.” in SEDRA/SMITH Microelectronic Circuits, SEVENTH ed. New York :OxFord University Press, 2015, ch 6,
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