쌍극성 접합 트랜지스터 특성 결과보고서

목차

Ⅰ. 실험 결과
Ⅱ. 결과 분석 및 고찰
Ⅲ. 참고 문헌

본문내용

Ⅰ. 실험 결과
1. 트랜지스터의 형태, 단자, 재료 결정
다음 순서는 트랜지스터의 형태, 단자, 재료를 결정한다. 최신 멀티미터에 있는 다이오드 검사 스케일을 활용할 것이다. 만약 그러한 스케일이 없다면 미터의 저항 단자를 사용할 수 있다.

a. 그림 8-1의 트랜지스터 단자에 1,2,3을 표시하라. 이 실험에서는 단자 표시가 없는 트랜지스터를 사용하라.

실험결과 단자1:C(Collector, 단자2:B(Base), 단자3:E(Emitter)로 해석되었다.

b. 멀티미터의 선택 스위치를 다이오드 스케일에 위치하라(다이오드 스케일이 없다면 2k옴 범위로 설정).

c. 미터의 양의 리드(lead)를 트랜지스터 단자 1에, 음의 리드를 단자 2에 연결하라. 지시값을 표 8.1에 기록하라.

d. 미터 리드를 반대로 연결하고, 지시값을 기록하라.

e. 미터의 양의 리드를 트랜지스터 단자 1에, 음의 리드를 단자 3에 연결하고, 지시값을 기록하라.

f. 미터 리드를 반대로 연결하고, 지시값을 기록하라.

g. 미터의 양의 리드를 트랜지스터 단자 2에, 음의 리드를 단자 3에 연결하고, 지시값을 기록하라.

h. 미터 리드를 반대로 연결하고, 지시값을 기록하라.

I. 트랜지스터의 두 단자 사이의 미터 지시값이 연결된 미터 리드의 극성에 관계없이 높게(OL 또는 높은 저항) 나타나는 것이 있을 것이다. 이 두 단자 중에서 어느 단자도 베이스는 아니다. 이 사실에 기초하여 표 8.2에 베이스 단자의 숫자를 기록하라.

j. 미터의 음의 리드를 베이스 단자에 연결하고, 양의 리드는 트랜지스터의 다른 어느 단자에 연결하라. 만약 지시값이 낮다면(Si에 대해서는 약 0.7V, Ge에 대해서는 0.3V 또는 낮은 저항), 트랜지스터의 형태는 pnp; 순서 k(1)로 가라. 만약 지시값이 높다면 트랜지스터의 형태는 npn; 순서 k(2)로 가라.

k. (1) pnp 형에 대해서, 미터의 음의 리드를 베이스 단자에 연결하고, 양의 리드를 트랜지스터의 다른 두 단자 중에 어느 하나에 번갈아가며 연결해 보라. 두 지시값 중에서 낮은 값은 베이스와 컬렉터가 연결된 경우이다.

참고 자료

Robert L. Boylestad 외 2저,『전자회로실험 제 10판』,ITC(2011)