[전자회로설계및실험] 예비레포트 - BJT의 고정 및 전압분배 바이어스 9장

소개글

실험에 관련된 이론, 실험회로 및 시뮬레이션 결과(pspice파형포함), 실험방법및유의사항, 참고문헌을 깔끔하게 정리해 놓았습니다 *^^*

목차

1. 실험에 관련된 이론
2. 실험회로 및 시뮬레이션 결과(pspice파형포함)
3. 실험방법및유의사항
4. 참고문헌

본문내용

실험에 관련된 이론

쌍극성 트랜지스터(BJT)는 차단, 포화, 선형 세가지 모드에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에 의해서 트랜지스터의 동작점이 유일하게 결정된다. 차단 모드에서 트랜지스터는 거의 개방 스위치로 동작하며 이미터에서 컬렉터로 작은 양의 역방향 전류만이 존재한다. 포화모드에서는 컬렉터에서 이미터로 최대전류가 흐르며, 단락 스위치와 유사하게 동작한다. 흐르는 전류량은 트랜지스터에 연결된 외부 회로에 의해서 제한된다. 이들 두 동작 모드가 디지털 회로에 사용된다.
최소 왜곡으로 신호를 증폭하기 위해서는 트랜지스터 특성곡선의 선형 영역을 이용한다. 트랜지스터의 직류 전압을 인가하여 베이스-이미터 접합을 순방향 바이어스 시키고 베이스-컬렉터 접합을 역방향 바이어스 시켜서 동작점을 선형 영역의 거의 중앙에 위치하도록 한다.
이 실험에서 고정 바이어스와 전압분배 바이어스의 두 회로를 살펴본다. 전자의 심각한 단점은 동작점 위치가 트랜지스터의 순뱡향 전류 전달비(β)과 온도에 매우 민감하다는 것이다. 소자의 β와 온도는 넓은 범위에서 변할 수 있기 때문에 고정 바이어스 구조에서 부하선 상의 동작점 위치를 정확히 예측하기 어렵다.
전압분배 바이어스 회로느 srnlghks 배열을 적용하여, 베이스-이미터와 컬렉터-이미터 전압이 트랜지스터의 β가 아닌 외부 회로 소자에 주로 의존한다. 그러므로 개별 트랜지스터의 β가 심각하게 변할지라도, 부하선 상의 동작점 위치는 거의 변동하지 않는다. 그러한 배열을 β에 무관한 바이어스 구조로 부른다.

◆ 바이어스되지 않은 트랜지스터 와 바이어스 된 트랜지스터
그림 2에서 B-E 다이오드는 순방향, C-B 다이오드는 역방향으로 바이어스가 가해진다. 이 때 화살표는 전자의 흐름을 나타낸다. 그림 2의 회로를 트랜지스터를 나타내는 기호로 쓰면 그림 3이 된다.

그림 3. 바이어스된 npn 트랜지스터

참고 자료

[1] 전자회로실험 제 10판. Robert L. Boylestad
[2] 네이버 백과사전
[3] 기초전자회로실험 (인터비젼) 교재
[4] Micro electronic Circuits Sedra∙Smith (OXFORD)
[5] http://blog.naver.com/abio2000?Redirect=Log&logNo=150077421575