8주차 예비보고서- mosfet 바이어스 공통소스 mosfet 증폭기

목차

1.실험 목적
2.실험 이론
3.실험 순서
4.예상 결과

본문내용

1. 실험목적
자기 바이어스, 전압분배 바이어스, 2전원 바이어스를 사용한 JFET의 바이어스 특성을 안다. 공통 소스 jfet 증폭기의 직류, 교류 특성을 안다.

2. 실험이론
전계효과 트랜지스터(field effect transistor:FET)는 그 구조에 따라 크게 2가지로 구분된다. 하나는 접합형 전계효과 트랜지스터(junction FET):JFET)이고 다른 하나는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(metal oxide semiconductor FET:MOSFET)이다. jfet은 npn트랜지스터, pnp트랜지스터와 같이 n채널과 p채널로 나누어진다. n채널 jfet의 아래쪽 단자는 자유전자가 이 점으로부터 디바이스 내부로 흘러들어 가기 때문에 소스(source:S)단자라고 하고 위쪽의 단자는 자유전자가 이 점으로부터 빠져나오기 때문에 드레인(drain:D)단자라 하며 2개의 p형 반도체 영역은 내부적으로 연결되어 있는 게이트(gate:G)단자라 한다. 즉, 소스(S)는 다수 캐리어(majority carrier)의 공급원을 의미하고 드레인(D)은 다수 캐리어의 배출구를 의미하며 게이트(G)는 제어하는 문을 의미하고 있다. 한편 p채널 jfet의 구조를 보면 약하게 도핑된 p형 반도체의 실리코 막대의 양쪽 옆에 n형 불순물을 강하게 주입시켜서 만든 jfet이다. 이러한 p채널 jfet의 단자는 n채널 jfet과 같으나 그 다수 캐리어는 자유전자가 아닌 정공(hole)이라는 점에 있다. jfet에서 n채널 또는 p채널의 폭은 jfet의 전류흐름의 세기를 결정하기 때문에 매우 중요하다. jfet과 이전 실험에서 사용했던 bjt와의 차이점은 fet과 극성이다. bjt는 bipolar 쌍극성이고 fet은 단극성이다. 전자와 정공 둘 다 반송자로 쓰이면 쌍극성, 이 중 하나만을 이용한다면 단극성이다.

참고 자료

없음