[전자회로실험] 쌍극성 접합 트랜지스터 특성 결과보고서(A+)

소개글

"[전자회로실험] 쌍극성 접합 트랜지스터 특성 결과보고서(A+)"에 대한 내용입니다.

목차

Ⅰ. 실험목적

Ⅱ. 이론

Ⅲ. 실험 장비

Ⅳ. 실험결과 & 분석
1. 트랜지스터의 형태, 단자, 재료 결정
2. 컬렉터 특성 곡선
3. a와 b의 변화
4. 실험결과 총평
5. 연습문제

본문내용

[실험목적]
1. DMM을 사용하여 트랜지스터의 형태(npn, pnp, 단자, 재료를 결정한다.
2. 커브 트레이서를 사용하여 트랜지스터의 컬렉터 특성곡선을 그린다.
3. 트랜지스터의 와 값을 결정한다.

[이론]
쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어진다. 트랜지스터는 두 개의 n형 재료 층 사이에 하나의 p형 재료 층이 놓이거나(npn), 두 개의 p형 재료 층 사이에 하나의 n형 재료 층이 놓이는(pnp) 구조를 갖는다. 어느 경우에서나 중간층이 트랜지스터의 베이스를 형성하고 바깥 두 층이 트랜지스터의 컬렉터와 이미터를 형성한다. 이 구조가 인가되는 전압의 극성 그리고 전자 이동 또는 관습적인 전류 방향을 결정한다. 후자에 대해서 말하면, 트랜지스터의 형태에 관계없이 트랜지스터의 이미터 단자에 표시된 화살표는 관습적인 전류 흐름의 방향을 나타내므로 유용한 참고사항을 제공한다.(그림 8-2). 이 실험 과정에서 트랜지스터의 형태, 재료, 단자를 결정하는 방법을 보여줄 것이다.

여러 가지 동작 조건에서 쌍극성 접합 트랜지스터에 관련된 전압과 전류 사이의 관계가 트랜지스터의 성능을 결정한다. 이러한 관계를 총체적으로 트랜지스터의 특성곡선이라고 한다. 트랜지스터 제조 회사는 규격서에 트랜지스터 특성곡선을 제공한다. 이러한 특성곡선을 실험으로 측정하여 규격서에 발표된 값과 비교하는 것이 이 실험의 목적 중 하나이다.

[실험 장비]
① DMM
② 저항(, ), 전위차계, 전위차계
③ 트랜지스터(2N3904)
④ 직류전원

[실험결과 & 분석]
1. 트랜지스터의 형태, 단자, 재료 결정
→ 2와 1을 연결했을 때, 2와 3을 연결했을 때 대략 0.66V의 전압이 걸리므로 단자 2가 베이스이며, Si으로 만들어졌음을 알 수 있다. 또한, 2와 1, 2와 3을 역방향으로 연결했을 때에는 OPEN이므로 npn 트랜지스터임을 알 수 있다.

참고 자료

없음