반도체 공정 레포트2 (Flash memory)

소개글

"반도체 공정 레포트2 (Flash memory)"에 대한 내용입니다.
Flash memory
1. NAND-type& NOR-type
2. Floating gate flash memory &Charge trap flash memory
3. MLC Flash Memory
4. 3D Flash Memory

목차

1. NAND-type& NOR-type
2. Floating gate flash memory &Charge trap flash memory
3. MLC Flash Memory
4. 3D Flash Memory

본문내용

1. NAND-type& NOR-type

플래시 메모리는 EEPROM(Electrically Erasable/Programmable Read Only Memory)의 일종으로 Byte 단위로 지우기 작업을 하는 EEPROM과는 달리 큰 단위를 한 번에 지울 수 있는 비 휘발성 메모리이다. 구조는 위와 같으며 Floating Gate가 있는 것이 기존 MOS 구조와 다른 특징이며, 이 Floating Gate에 전자를 채우고 비우는 방식을 통해 데이터를 저장, 삭제하게 된다. Control Gate는 Memory Cell Array의 Word Line을 겸하는 Gate 전극이다.

Flash Memory는 구조에 따라 NOR Flash와 NAND Flash로 나뉜다. NOR 플래시는 병렬의 구조, NAND 플래시는 직렬의 구조로 생각할 수 있다. 각 Flash memory cell 마다 Word line과 bit line이 필요한데, 데이터 저장을 위한 Word line은 모든 Cell에 하나씩 필요하고, Bit line을 각 Cell 마다 병렬적으로 주는 것이 NOR, bit line을 하나만 사용해서 Cell을 직렬 연결하는 것이 NAND이다.
Cell 단위로 봤을 때, FN Tunneling 동작이 동작 전류가 작아서 속도가 낮고 NAND는 Program/Erase 모두 FN Tunneling을 사용하기 때문에 NOR에 비해서 Program 속도가 느리다고 할 수 있다. 하지만 NAND는 구조적 특성 때문에 Page 단위의 Program이 빠르고 Page Buffer를 사용해서 데이터를 한 번에 많이 쓸 수 있기 때문에 NOR 보다 Program 시간이 빠르다고 한다. Bit Line이 모든 셀에 있는 NOR Flash는 Read 동작이 빠르다.
NAND와 NOR 플래시는 서로 간의 크기도 다르게 되는데 아무래도 NOR는 모든 Cell에 BL이 들어감으로 배선에 어려움이 있고 집적도가 NAND 보다는 떨어지게 된다.

참고 자료

https://snowbora.tistory.com/357 [눈보라 이야기]
https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=klp0712&logNo=221078368725&proxyReferer=http%3A%2F%2Fwww.google.com%2Furl%3Fsa%3Di%26rct%3Dj%26q%3D%26esrc%3Ds%26source%3Dimages%26cd%3D%26ved%3D2ahUKEwjVkMusgr_lAhXFyosBHZ6ZCGQQjhx6BAgBEAI%26url%3Dhttp%253A%252F%252Fm.blog.naver.com%252Fklp0712%252F221078368725%26psig%3DAOvVaw337oCHbHEtpFZU_Fo-Qir4%26ust%3D1572354286750822 작업요약노트 블로그
http://sml.ac.kr/sub/sub02_04.php 연세대학교 반도체 메모리 공정연구실
http://sml.ac.kr/sub/sub02_03.php 연세대학교 반도체 메모리 공정연구실_3D Flash Memory
https://news.skhynix.co.kr/ sk하이닉스 뉴스룸