[반도체공정] 3차 레포트 - Future Memory Technologies

소개글

반도체공정 3차 레포트 Future Memory Technologies 입니다.

목차

1. Future memory가 필요한 이유

2. Future memory - MRAM, FeRAM, PRAM
① MRAM(Magnetic RAM)
② FeRAM
③ PRAM

3. 비휘발성 메모리 기술의 발전

4. LEVERAGING EMERGING MEMORY TECHNOLOGIES IN ARCHITECTURE DESIGN
① NVM Architecture Modeling
② Leveraging NVMs as Cache or Main Memory
② Leveraging NVMs as Cache or Main Memory
③ Leveraging NVM to improve NAND-Flash SSD
④ Mitigation Techniques for Emerging NVM Memory

5. 결론

본문내용

SRAM은 고집적화가 곤란하기 때문에 대용량 메모 리로서는 맞지 않지만, 그 고속성을 살려서 캐시 메모리 등에 쓰이고 있고, 또한 그것과는 반대로 DRAM은 상쇄(refresh) 동작이 필요하기 때문에 액세스 속도가 저속한 부품으로 대용량성의 특성을 살려서 퍼스널 컴퓨터의 main memory 등에 채용되고 있다. 또 플래시 메모리는 하드 디스크와 같이 비휘발성(전기적인 기억의 보유가 불필요)이라고 하는 특성을 살리고 비교적 소용량의 데이터의 보존에 사용되고 있다.
이런 컴퓨터 시스템의 성능은 지금까지 scaling down에 의해 향상되었고, 모든 컴퓨팅 시스템에는 컴퓨팅 엔진의 데이터를 저장하고 액세스하기 위한 storage와 communication substrate가 필요하다. 컴퓨터 엔진(코어)은 모레스 법칙을 따르는 scaling down이 지속적으로 되어왔으나, 앞으로 시스템 성능의 향상은 잘 알려진 memory wall (communication bandwidth의 한계때문에 코어와 메모리 사이의 속도 차이가 커지는 것)과 power wall에 의해 제약된다. 결과적으로, memory architecture 와 interconnect architecture는 성능과 전력 향상 측면에서 뒤쳐졌었다.
다음 기술들은 메모리 체계와 상호연결 된 CPU 코어를 빠르게 처리하기 위해 성능, 에너지 효율성 그리고 스토리지 용량을 엄청나게 확장하는데 도움이 될 것이다. 컴퓨터 시스템 설계의 미래 판도를 바꾸는 열쇠는 다음과 같은 세 가지 파괴적인 기술이다.
① Sing Torque Transfer RAM (STT-RAM), Phase Change RAM (PCRAM), Resistive RAM (RAM)과 같은 새로운 비휘발성 메모리(NVM) 기술은 오늘날의 SRAM/DRAM 메모리 기술을 대체할 수 있는 큰 잠재력을 보여주었다.

참고 자료

Yuan Xie / Future Memory and Interconnect Technologies / Pennsylvania State University, USA / AMD Research, Advanced Micro Devices, Inc., USA
유병곤, 류상욱, 윤성민 / Future Memory Technology for Ubiquitous Environment (MRAM, FeRAM, PRAM) / 전자통신동향분석 제20권 제1호