반도체공정 증착장비 보고서

소개글

반도체 공정의 증착장비에 대한 설명 및 실제사례

목차

Ⅰ. CVD
A. 일반 CVD
1. 상압 CVD
2. 감압 CVD
B. 플라즈마 CVD
C. ALD (원자층 기상 성장)

Ⅱ. PVD
A. DC 스퍼터
1. 일반
2. 마그네트론
B. RF 스퍼터
1. 일반
2. 마그네트론
C. 이온빔 스퍼터
D. 진공증착기 (Vacuum evaporation)
E. 이온 플레이팅

본문내용

가. 장비의 개요
a. 제조사 - SCHMID
b. 규격 - 3.3 x 1.9 x 2.3 m
c. 처리량 - 1,450 – 4,500 웨이퍼 / h (필름 두께에 따라 다름)
d. 이익 - n 형 태양 전지의 붕소 도핑에 탁월
- 패시베이션 된 접점을위한 폴리 실리콘 증착
- 낮은 시설 요구 사항으로 인한 낮은 소유 비용
- 유지 보수를 고려한 디자인으로 버튼 하나로 내부 접근이 가능
- 작은 발자국
- 대량 생산 입증
- 프로파일 링, 데이터 및 이벤트 로깅, 터치 스크린 인터페이스가 내장 된
세계적 수준의 HMI
e. 활용용도 - 도핑되지 않은 SiO 2 (USG)
- 붕소 도핑 된 SiO 2 (BSG)
- 인 도핑 된 SiO 2 (PSG)
- TiO 2
- 폴리 실리콘
f. 실제 사례
CVD 법으로 그래핀을 합성하기 위해서 금속 촉매를 Cu foil(9 µm, 99.99%)로 선정하였다. 금속 촉매로 사용한 Cu의 경우 먼저 그래핀을 합성하는데 사용하는 Ni보다 C의 용해도가 낮아서 [31,38] 그래핀을 합성과 두께 조절이 용이하다고 알려져 있다.[31]Cufoil은 2✕14cm로 준비해서 평판 보트 위에 고정하여 실험을 진행하였다.
① Cufoil을 CVD장비 석영관 중앙에 위치하고 Ar+H2 혼합가스를 주입시키고 furnace의 내
부에 1000℃까지 열을 가하였다.
② 1000℃까지 도달하면 Ar+H2 혼합가
스 분위기에서 Cu foil의 annealing을 30분 동안 진행하였다.
③ 이후CH4를 추가로 주입하여 1~5분의 짧은 시간 동안 성장시간을 가졌다.
④그 다음 CH4의 주입을 멈추고 실온까지 빠르게 냉각시켰다.

참고 자료

없음