(예비)FET이용 Audio Power Amplifier 제작
- 최초 등록일
- 2012.12.28
- 최종 저작일
- 2012.10
- 12페이지/ 한컴오피스
- 가격 2,000원
소개글
FET이용 Audio Power Amplifier 전자회로실험 예비레포트입니다. 해피캠퍼스에 전자회로실험 레포트가 많이 부족하더라구요.특별히 이건, 성균관대학교 전자회로실험 레포트입니다. 아마 최초업로드라 매우 중요한자료가아닐까 생각이됩니다. 송봉식 교수님이 담당하신 수업이구요.그당시 수업 A+받았고, 레포트점수도 만점이었습니다.필요소자 분석, 전체회로도 분석 및 Psim을 이용한 시뮬레이션 분석까지 그야말로 완벽합니다.참고하시고 많은도움되셨으면 합니다.
목차
1. 목표
2. 관련이론
3. 회로도 및 회로분석
4. 시뮬레이션 결과
5. 진행계획
본문내용
실제의 트랜지스터 증폭기들은 흔히 직렬로 접속된 몇 개의 단들로 이루어 진다. 첫째 단 또는 입력단은 이득을 제공한느 것 이외에, 증폭기가 높은 내부저항을 가진 신호 전원으로 구동될 때 신호레벨이 손실 되는것을 피할 수 있도록 높은 입력 저항을 제공해야 한다.
출력단에서는 증폭기가 낮은 부하 저항에 연결될 때 이득이 손실되는 것을 피할 수 있도록 낮은 출력 저항을 제공해야 한다.
이번 실험에서는 다단 증폭기 (MOSFET이용)의 구조와 해석방법을 프로젝트를 수행함으로써 실질적으로 제작한 뒤 이해할 수 있는것을 목표로 한다.
<중 략>
- 공핍형 : 공핍형은 양과 음의 게이트 소스 전압에서 동작한다. 음의 는 핀치 오프 전압이 될 때까지 드레인 전류를 감소시켜 드레인 전류가 흐르지 않게 하고 전달특성은 음의 게이트 소스전압에 대해서는 동일하자만 양의 값에 대해서는 드레인 전류는 계속적으로 증가한다. 특히 게이트는 의 음과 양전압 상태에서는 채널과 절연되어 있으므로 디바이스는 의 어떠한 극성에 대해서도 동작하지만 어느 경우나 게이트 전류는 흐르지 않습니다.
그림 MOSFET의 에 따른 드레인 전류의 변화와 채널 내부 변화
참고 자료
Electronic Device(Floyd, Electronic Device, English Edition, Chapter3)
Microelectronic Circuits(Sedra, Smith, Microelectronic Circuits, Korean Edition, Chapter3-5)
Transys Electronics Company
www.alldatasheet.com