[워드2003]전자회로실험_사전5_8.쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성

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"[기초전자회로실험 : BOYLESTAD, NASHELSKY / 인터비젼]을 기본으로 작성한 전자회로실험 보고서로 A+받은 레포트입니다. 페이지는 제한이 있어서 페이지가 많지는 않지만, 여러가지 책을 참고문헌으로 사용했고, 책의 모든 실험에 대해 피스파이스 시뮬레이션 및 결과를 확인할 수 있습니다.

- 디지털 멀티미터(DMM)을 사용하여 트랜지스터의 형태(npn, pnp), 단자, 재료를 결정한다.
- 실험적 방법과 곡선 추적기(curve tracer)를 이용하여 트랜지스터의 콜렉터 특성을 조사한다.
- 트랜지스터의 α와 β값을 결정한다.
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목차

1. 실험목적
2. 이론
3. 사용기기 및 부품

본문내용

1. 실험목적
- 디지털 멀티미터(DMM)을 사용하여 트랜지스터의 형태(npn, pnp), 단자, 재료를 결정한다.
- 실험적 방법과 곡선 추적기(curve tracer)를 이용하여 트랜지스터의 콜렉터 특성을 조사한다.
- 트랜지스터의 α와 β값을 결정한다.

2. 이론
트랜지스터는 전압이나 전류의 작은 변화를 큰 변화가 되도록 증폭시키는 역할을 한다. 이때 입력으로 소신호(small signal)를 인가하여 output으로 큰 전류나 전압의 변동을 얻게 된다. 트랜지스터는 바이폴라 접합형과 전계효과형이 있는데, 이번 실험에서 사용하게될 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 전하 캐리어로 전자와 정공을 모두 사용한다. BJT는 두개의 pn접합을 포함한 3단자 반도체 소자로 구성된다. 그 형태는 아래와 같다.

위는 npn 트랜지스터로 p영역에 의해 두개의 n영역이 나뉘어 각각을 이미터(E), 베이스(B), 컬렉터(C)라 한다. 이때 베이스 영역과 이미터 영역을 연결하는 pn접합을 베이스-이미터 접합이라 하고, 베이스 영역과 컬렉터 영역을 연결하는 접합은 베이스-컬렉터 접합이라 한다. 세 영역은 각각 도선으로 연결되고, 도핑농도는 이미터와, 컬렉터는 높은 반면 베이스는 가볍게 도핑되고 그 길이도 매우 좁다.
1) BJT 동작 이론
트랜지스터를 증폭기로 동작시키기 위해서는 두 PN접합이 외부 직류전압에 의해서 바이어스되어야 한다. 여기선 오른쪽에 보이는 npn 트랜지스터를 설명한다.

참고 자료

-기초전자회로실험 : BOYLESTAD, NASHELSKY / 인터비젼 / 2006 / p81~89
-전자회로 (제6판) : BOGART / Prentice Hall / p92~129
-마이크로전자회로 : Sedra, Smith / 한티미디어 / 2008 / p418~(chapter5)
-PSpice 기초와 활용 : 백동철 / 복두출판사 / p267~271
-All DataSheet : http://www.alldatasheet.com/
-http://fourier.eng.hmc.edu/e84/lectures/ch4/node4.html