제10장 전계효과 트랜지스터의 특성 결과보고서

소개글

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목차

1. 실험 목적
2. 실험 내용
3. 실험 결과에 대한 고찰

본문내용

1. 실험 목적
전계 효과 트랜지스터의 전기적 특성을 측정하여 MOS 전계 효과 트랜지스터의 동작 원리를 이해하고 직류 등가 모델의 파라미터를 구한다.

2. 실험 내용
1) MOS 트랜지스터는 정전기 방전(ESD)로 손상되기 쉬우므로 트랜지스터 단자들을 손으로 만지지 말아야한다. 그리고 직류 전원을 끄고 틀내지스터를 실험 회로에 접속하거나 제거해야 하고 신호는 직류 전원을 공급하고 회로에 인가해야 한다.

2) MOS 트랜지스터의 소스 S, 게이트 G, 그리고 드레인 D 단자를 그림 10.10의 단자 연결도를 보고 확인하라. 내부 다이오드는 드레인 다이오드를 나타낸다. 그래서 D와 S 사이의 저항은 멀티미터의 빨간색 리드선을 D에 접속하여 측정한다. 다른 저항은 검정색 리드선을 G에 접속하여 측정한다. 트랜지스터를 빵판에 장착하고 D와 S 사이, S와 G 사이, 그리고 D와 G 사이의 저항을 측정하여 각각 개방 회로인가를 확인하라. 그렇지 않으면 트랜지스터는 손상된 것이다.

3) 그림 10.11의 회로에 주어진 드레인 저항..

<중 략>

3. 실험 결과에 대한 고찰
김ㅇㅇ – 가변 커패시터를 이용해 입력 주파수와 공진이 되는 주파수를 찾는 것을 광석 라디오에 직접 적용하여 라디오를 수신하는 것이 매우 흥미로웠다.

참고 자료

없음