전자회로실험1 결과보고서 실험2. BJT DC 특성

목차

1. 실험결과
2. 고찰

본문내용

특성은 베이스전류와 콜렉터 전류에 관한 것이었다. Vcc를 고정시키고 Vbb를 0엑서부터 증가시킬 때 전류가 급격히 증가하면서 Vbe가 0.7V정도의 값이되고, 콜렉터 전류값이 증가하다가 증가폭이 급격히 감소하는 현상이 일어났다. 이것은 동작특성의 활성 영역에 들어선 것이며 매우 낮은 값에서 점점 증가하던 전류이득은 활성영역에서 100정도의 값을 찍고 급격히 감소하는 모습을 보였다.
log(I _{C})vs V _{BE} 특성에서 포화전류 IS를 구하는 것 역시 Vbb를 변화시키면서 하는 실험이었다. 콜렉터 전류 Ic=Is*e^(Vbe/Vt)였다. 우리는 Vbb를 변화시킬 때 나타나는 I _{C} V _{BE} 특성을 관찰하고 공식을 대입하여 1~10fA정도의 포화전류를 계산하였다. 이 포화전류는 포화영역에서 급격히 감소하다가 활성영역의 10fA정도의 값부터 감소폭이 급격히 줄었다.
I _{C} -V _{CE} 특성을 측정하고 Early 전압 VAF를 구하는 것은 트랜지스터가 실제 소자이기 나타나는 특성이다. 이상적인 트랜지스터라면 활성영역에서 Ic가 더 이상 증가하지 않아야 하지만 실제 소자는 내부저항값을 가지고 있기 때문에 조금씩 전류가 증가하는 모습을 보인다. 이때 Ib값에 따라 활성영역을 시작하는 점과 활성 영역에서의 기울기가 다르고, 활성영역에서 그래프들의 연장선을 이으면 한 점에서 만나는 전압값이 있는데 그 값이 VAF이다. VAR도 위와 유사한 동작 특성으로 역방향 얼리 전압 이라고 한다. 시뮬레이션 할때는 두 값 모두 100으로 설정해주었기 때문에 100이 나왔고 이번 실험의 측정 결과로는 42.969가 나왔다.

참고 자료

없음