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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 결과보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)

전자전기S전자회로설계
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최초 등록일
2023.08.28
최종 저작일
2019.05
8페이지/한글파일 한컴오피스
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소개글

중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 보고서입니다.
총학점 4.4x 로 졸업한 졸업생의 실험보고서로 A+ 받은 자료입니다.
구매 시 절대 후회 없을 것이라 장담합니다.
보고서 분량도 많고, 보고서 내에 회로도, 그래프, 차트 등 포함되어 있습니다.

목차

I. 실험 목적

II. 요약

III. 설계실습내용 및 분석
1. 서론
2. 설계실습 내용 및 분석

IV. 결론

본문내용

실험 목적
BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가한다.

Ⅰ. 요약
첫 번째 실험에서는 switch가 on이 되었을 때 LED가 같이 ON이 되도록 설계하였고, 측정한 값들은 최대 12.72%의 오차가 발생하였으며 수치가 크게 벗어나지 않았다. 두 번째 실험에서는 inverter로 연결하여 switch가 OFF 됐을 때(= 0 V) BJT가 cutoff되면서 모든 전류가 LED로 흘러 켜지는 것을 확인하였고..

<중 략>

먼저 BJT의 emitter에 LED를 연결하여 구동하였다. Function generator로 0~5V의 사각파가 출력되도록 설정을 하고 LED의 ON/OFF를 눈으로 쉽게 보게 하기 위해 주파수를 1Hz로 낮게 하여 출력시켰다. 그 결과, 입력전압이 High(5 V)일 때 LED가 구동되고 Low(0 V)일 때 LED가 꺼지는 것을 관찰할 수 있었다. 입력전압이 5V일 때, cut-off region에서 동작하던 BJT가 saturation region에서 동작하여 collector에서 emitter로 큰 전류가 흐르게 된다. 이에 따라 emitter에 연결된 LED에 전류가 흐르면서 LED가 구동된다는 것을 알 수 있었다. BJT의 bias 전압을 측정한 결과 최대 12.72% 의 큰 오차가 발생하였다. 가장 큰 오차의 원인은 BJT가 소자마다 β값 등의 특성이 다르기 때문에 발생하는 것이라고 생각할 수 있다. 또한, LED가 ON되었을 때 걸리는 전압을 2 V, 전류를 20 mA라고 가정한 후 설계하였는데, 실제 측정 결과 1.9 V정도가 LED에 걸리는 것을 알 수 있었다. 이렇듯 BJT와 LED의 특성값이 typical value는 10% 이상의 오차가 있어서 실험에서 큰 오차가 발생한 것으로 이해할 수 있다.

참고 자료

없음
전자전기S전자회로설계
판매자 유형Platinum개인인증
소개
안녕하세요.
중앙대학교 출신으로 현재 S전자에서 회로 설계 엔지니어로 재직중입니다.
학부 4.4x 학점으로 수석졸업하였고, 좋은 자료들만 업로드 하고 있습니다.
전문분야
자기소개서, 이력서, 공학/기술
판매자 정보
학교정보
중앙대학교 서울캠퍼스 전자전기공학부 졸업
직장정보
삼성전자 회로설계
자격증
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