Si wafer의 Oxidation

소개글

Si wafer의 Oxidation 실험을 통해서 실제로 측정된 Oxidation층의 두께를 이론과 비교해 본다.

목차

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본문내용

1.SiO2 의 용도
· Surface passivation
-오염으로부터 반도체를 보호한다.
1) 빽빽하고 단단한 SiO2 layer가 물리적으로 스크래치로부터 표면을 보호한다.
2) 화학적으로는 Si로 mobile ions이 오염시키는 것을 막는다.
· Doping barrier
-오직 open window로만 doping이 가능하게 하면서 dopant가 Si로 침투하는 것을 막는다.
-비슷한 열팽창상수를 이용.
· Surface dielectric
-소자내에서 도체사이에 shorting을 막는 절연체 역할.
· Device dielectric
-게이트 절연막(gate oxide) 또는 capcitor 절연막으로 사용

2. Thermal Oxidation
·Si + O2 → SiO2
-high quality를 얻기위해서는 높은 온도와 적절한 공정시간이 필요하다(900~1200c)
·Reaction kinetics
① O2를 gas-oxide interface에 연결
·Gas flux : (1)
= mass transfer coefficient
·Oxide내의 한 종류의 평형 농도는 가스내에 그 종류의 부분압력에 비례한다.(Henry`s law)

참고 자료

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