예비보고서-_실험5_트랜지스터_증폭회로1

소개글

완벽본입니다.

목차

1. 개요
2. 관련 이론
3. 실험기기
4 . 예비보고서
5. 실험 순서

본문내용

1. 개요
트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높인다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류 등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해하도록 한다.


2. 관련 이론

2.1 에미터 공통 증폭회로

2.1.1 트렌지스터에 의한 교류신호 증폭의 원리
입력 전압 e와 바이어스 전압 E1 으로 만들어지는 베이스와 이미터 간의 전압 (VBE) 에 비례한 전류(IB)의 hfe(※1) 배의 전류(IC)가 콜렉터를 통해 흐르게 됩니다. 이 콜렉터 전류 IC가 저항 RL을 흐르게 됨으로써 IC × RL 의 전압이 저항 RL의 양 끝에 나타납니다. 결국 입력 전압 e 가 ICRL 이라는 전압으로 변환 (증폭) 되어 출력됨을 나타낸다.

2.1.2 전류 증폭율

트랜지스터가 활성영역에서 동작할 때 트랜스지터의 주 전류에 해당하는 컬렉터 전류 는 베이스 전류에 의해 제어되는데 이들 간의 비례상수를 전류 증폭률이라고 한다. 베이스 전류의 변화는 그 변화량에 전류 증폭율을 곱한 만큼 컬렉터 전류의 변화를 발생한다.

참고 자료

없음