기초실험 예비보고서 트랜지스터
- 최초 등록일
- 2017.05.21
- 최종 저작일
- 2017.03
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목차
1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 장비 및 부품
4. 실험 이론
5. 실험 방법
본문내용
1. 실험 목적 : 과거의 진공관의 역할을 하는 매우 중요한 소자인 트랜지스터의 종류 및 사용법에 대해 알아보고 이를 이용하여 응용 회로 실험을 진행한다.
2. 실험 장비 및 부품 :
1) 실험 장비 : 오실로스코프(1대), 펑션 제너레이터(1대), 파워서플라이(1대), 멀티미터(1대), 브레드보드(1대)
2) 실험 부품 : NPN(2N3904), PNP(2N3906), LED, 저항(종류별로 다수)
3. 실험 이론 :
1) P형 반도체와 N형 반도체 :
자유전자가 많은 N형 반도체와 정공 밀도가 자유전자 밀도보다 큰 P형 반도체가 있다.
반도체의 전기 전도율은 불순물의 존재에 따라 크게 달라진다.
인·비소·안티모니와 같은 5가 원자를 4가 규소 결정의 정규 위치에 있는 규소원자와 바꾸어 주면, 불순물 원자와 4개의 최근접 규소원자가 4개의 공유결합을 이루고 전자가 1개 남아돌아 자유롭게 원자 사이를 돌아다닌다.
이렇게 전자를 잃고 이온화된 불순물 원자를 도너(donor: 주개)라 하는데, 불순물이 주로 도너인 반도체가 N형 반도체이다.
참고 자료
회로이론 J. David Irwin & R.Mark Nelms . WILEEY 교보문고.
전자회로 Thomas L. Floyd 著.
네이버 사전 (‘PNP 트랜지스터’, ‘증폭률’)