전자회로실험 12장] JFET 특성

소개글

전자회로실험 A를 받았던 자료입니다.

목차

1. 목적
2. 실험소요 장비
3. 이론 개요
4. 실험순서

본문내용

▶ 이론개요
접합 전계효과 트랜지스터(JFET)는 단극 전도소자이다. 전류 캐리어는 n채널 JFET에서는 전자 p 채널
JFET에서는 정공이다. n채널JFET에서 전도로는 n형 불순물을 첨가한 Ge 혹은 Si이고, p채널JFET 전도
로는 p형 불순물을 첨가한 Ge 혹은 Si이다. 채널을 통한 전도는 채널과 반대로 불순물이 첨가된 영역에
의해 생성된 공핍영역에 의해 제어되어 진다. 채널은 각각 드레인과 소스라고 부르는 두 단자에 연결되어
진다. n채널 JFET에 대해서 채널에 관례적인 전류의 흐름을 설정하기 위해서 드레인은 정(+)전압에 연결
되고, 소스는 부(-)전압에 연결된다. p채널 JFET에 대해 인가전압의 극성은 n채널 JFET의 그것과 반대이
다. 게이트 단자로 언급되는 세번째 단자는 공핍영역 의해서 드레인과 소스 단자 사이에 존재할 수 있는
채널 폭을 조절하는 기구를 제공한다. n채널 JFET에 대해, 게이트-소스 전압이 음(-)이 될수록, 채널의
폭은 작아지고, 결과적으로 드레인-소스 전류는 더 작아진다.
이 실험은 다양한 전압과 JFET에 흐르는 전류 사이의 관계를 확립할 것이다. 이 관계의 성질은 JFET의
적용 범위를 결정한다.

▶ 실험순서
1. 포화전류 IDSS 와 핀치 오프 전압 (pinch - off voltage) 측정
a. 그림 12-1의 회로를 구성하라. 저항 R 측정치를 기록하라. 입력회로의 10KΩ의 저항은 9V의
배터리가 반대의 극성으로 인가될 때 게이트 회로를 보호하기 위해 포함되고, 전위차계는 최고치로
한다.
b. VGS가 0V가 될 때까지 1MΩ 전위차계를 변화시켜라. VGS=0V일 때는, ID=IDSS임을 기억하라.
c. 5KΩ의 전위차계를 변화시켜서 VDS=8V를 맞추어라. 전압 VR을 측정하라.
d. 측정된 저항치를 사용하여 IDSS=ID=VR/R로부터 포화전류를 계산하고 아래에 기록하라.
e. VDS를 8V로 유지하고, VR이 1mV가 될 때까지 VGS를 감소시켜라. 이 레벨에서 전형적인 동작레벨과 비
교해서 ID=VR/R=1mV/100Ω=10A0mA. ID=0mA일 때의 전압 VGS가 VP임을 기억하라. 아래에 핀치오
프 전압을 기록하라.
g. 결정된 IDSS와 VP의 값을 사용하여 그림 12-2에 쇼클리 방정식을 사용하여 소자의 전달 특성을 그려
라. 곡선에 적어도 5개의 점을 그려라.
ID=IDSS

참고 자료

없음