반도체 웨이퍼의 성장법과 시장조사 및 전망

소개글

Czochralski Zone과 Floating Zone의 정의와 비교
Czochralski Zone Growth법 용어정리
pull speed, segregation coefficient
wafer shaping
실리콘웨이퍼의 현재와 미래
반도체 시장의 앞으로의 전망 및 고찰
반도제 웨이퍼 제조회사(국내외)

목차

Czochralski Zone과 Floating Zone의 정의와 비교
Czochralski Zone Growth법 용어정리
pull speed, segregation coefficient
wafer shaping
실리콘웨이퍼의 현재와 미래
반도체 시장의 앞으로의 전망 및 고찰
반도제 웨이퍼 제조회사(국내외)

본문내용

1.Czochralski Zone과 Floating Zone의 정의와 비교
Czochralski Zone Growth
창시자의 이름을 따서 초크랄스키법(Czochralski法:1918) ·나켄법(1915) ·키로플러스법(Kyropoulos法:1926)이라고도 한다. 이 방법은 단결정 육성법 중에서는 가장 원리 ·장치가 확립되어 있으며, 그 순서는 도가니 속의 용융액에 씨결정을 담근 후에 용융액온도의 균일성 및 비등방성장(非等方成長) 방지를 목적으로 도가니 또는 결정을 회전시키면서 서서히 끌어올려서 결정을 육성한다. 얻은 결정은 도가니에 구애받지 않고 자유로운 상태에서 성장하므로 비교적 완전성이 양호하다고 할 수 있다. 결정 형상이나 성질은 인상속도(성장속도) ·회전속도 ·온도기울기 또는 결정방위에 의하여 지배되므로 이들에 대한 적절한 제어가 가장 중요하다. 또 인상에 따라 용융액의 조성변화가 생기는 경우에는 대용량의 도가니나 부유(浮遊) 도가니가 사용된다.
Floating zone Growth
Float Zone 결정 성장 방식은 첫번째로 시도된 잉곳 성장 방식중의 하나로서 1960년대 초에 처음 개발이 되었다. 이 방식은 대개 높은 비저항 값과 고순도 단결정 제조에 요구되는 낮은 산소 농도 특성을 가지고 있다.
단결정으로 만들려는 재료의 다결정 막대를 준비하여, 이것을 수직으로 놓고, 아래위를 클램핑(clamping)하고, 중간에 고주파나 전자빔 등으로 부분적으로 가열 용융하고, 이 용융 존을 아래에서 위또는 위에서 아래로 이동시켜서 단결정을 성장시키는 방법. 이 존(대역)을 봉 전체에 걸쳐 이동시키면 존 정제효과에 의해 순화된다.

참고 자료

인터넷 및 관련서적. 논문