웨이퍼 제조 공정
- 최초 등록일
- 2007.10.20
- 최종 저작일
- 2006.09
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소개글
웨이퍼 제조 공정에 대한 PPT 자료 입니다.
목차
1. 웨이퍼의 정의 ,구조, 용어, 종류, 형태에 따른 구분
2. 추가 공정에 의한 웨이퍼의 분류
3. 웨이퍼의 제조 공정
4. 웨이퍼의 미래전망 - 웨이퍼의 직경변화
5. 출처 및 참고문헌
본문내용
실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)
오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용
다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 단결정실리콘 박판
실리콘은 일반적으로 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재하며 이들은 지각의 ⅓정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있다.
실리콘으로 만들어진 실리콘 웨이퍼는 1.2eV의 넓은 Energy Band gap을 가지고 있기 때문에 비교적 고온(약 200℃ 정도까지)에서도 소자가 동작할 수 있는 장점이 있다.
암석에서 추출된 실리콘은 정제과정을 거쳐 고순도 다결정 실리콘으로 형성되고 이를 단결정 실리콘 웨이퍼로 제조하여 DRAM, ASIC, TR, MOSFET, CMOS, PMOS, ROM, EP-ROM 등 다양한 형태의 Device를 만드는데 이용된다.
웨이퍼의 구조와 용어
칩(Chip), Die : 전기로 속에서 가공된 전자회로가 들어있는 아주 작은 얇고 네모난 반도체 조각.집적회로가 만들어진 반도체.
Scribe line : 아무런 유닛이나 회로가 없는 지역으로 웨이퍼를 개개의 칩으로 나누기 위해 톱질하는 영역
TEG(Test Element Group): 각 웨이퍼는 특이한 패턴의 칩 혹은 다이가 몇 개 있다. 현미경으로 보면 다르다는 것과 확실히 알 수 있다. 이는 정상적인 다이와 같은 공정으로 형성된 특별한 테스트소자가 들어있다.
Edge die : 웨이퍼는 가장자리 부분에 미완성의 다이를 가진다. 이들은 미완성이기 때문에 결국 웨이퍼의 손실이 된다. 작은 웨이퍼에 큰 다이를 만든다면 그만큼 웨이퍼의 손실률도 커지게 된다.
참고 자료
LG실트론(www.siltron.co.kr)
http://blog.naver.com/poweryous?Redirect=Log&logNo=20021082343
반도체 공정기술(생능출판사)
http://blog.naver.com/icbanklove/19971955
http://blog.naver.com/jjsr1979?Redirect=Log&logNo=30000376771