7장 화학 평형

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목차

1 자발적 화학 반응

2. 평형에 영향을 주는 요인

본문내용

1 자발적 화학 반응
(1) 반응 진척도 ? 와 반응 깁스 에너지 Δ?
① 반응 진척도 ?: 물질량의 디멘션을 가지며 몰 수로 나타낸다.
·A ⇄ B 와 같은 평형 반응에서 A의 미소량 ?가 B로 변한다면 A의 변화량은 ? ?? ?가 되고 B의 변화량은 ? ?? ?가 된다.
② 반응 Gibbs 에너지 Δ? : Gibbs 에너지를 반응 진척도에 대해서 도시한 그래프의 기울기다.
Δ? ? ?? ?
? ???
·반응이 ?만큼 진행되었을 때 Gibbs 에너지는 다음과 같다.
? ? ??? ? ?? ? ?? ??? ? ?? ? ? ??? ? ????
?? ?
? ?? ?
? ?? ? ?? , Δ? ? ?? ? ??
·Δ? 는 반응 혼합물의 조성 상태에서 반응물과 생성물 사이의 화학 퍼텐셜의 차가 된다.
③ 화학 퍼텐셜은 조성에 따라 변하므로 Gibbs 에너지의 반응 진척도에 따른 기울기는 반응이 진행함에 따라 변한다. (A→B 반응)

<중 략>

② 평형상수 K가 압력에 무관하다는 것이 평형 조성이 압력에 무관하다는 것을 뜻하지는 않으며, 그 효과는 압력을 어떻게 가하느냐에 따라 다르다.
③ 완전 기체의 부분 압력은 그 기체가 단독으로 그 용기 속에 남아있을 때 나타내게 되는 압력이며, 다른 기체가 존재하더라도 아무런 영향을
받지 않는다.
④ 비활성 기체를 가해서 가압하는 것으로 계의 평형 조성에 아무 영향도 주지 못한다. 계의 압력을 증가시키는 다른 한 방법은 기체를 압축하여
부피를 작게 해주는 것이다. 부분 압력이 변하지만 이들의 비는 변하지 않는다. 따라서 평형상수는 일정하다.
⑤ 압축 효과의 예측
·암모니아 합성 반응

참고 자료

없음