1. 상자성체에서 자화율(magnetic susceptibility)는?

• X=0
• X=1
• X
• X＞0

2. 그림과 같이 단면적이 균일한 환상철심에 권수 N₁인 A코일과 권수 N₂인 B코일이 있을 때, A코일의 자기 인덕턴스가 L₁(H)이라면 두 코일의 상호 인덕턴스 M(H)는? (단, 누설자속은 0이다.)

3. 간격 3m의 평행 무한평면도체에 각각 ±4C/m²의 전하를 주었을 때, 두 도체간의 전위차는 약 몇 V인가?

• 1.5×10¹¹
• 1.5×10¹²
• 1.36×10¹¹
• 1.36×10¹²

4. 그림과 같이 평행한 무한장 직선도선에 I(A), 4I(A)인 전류가 흐른다. 두 선 사이의 점 P의 자계의 세기가 0이라고 하면 a/b는?

5. 파라핀유 속에서 5cm의 거리를 두고 5μC과 4μC의 점전하가 있다. 두 점전하 사이에 작용하는 힘은 약 몇 N 인가? (단, 파라핀유의 비유전율은 2.2라고 한다.)

6. 그림과 같은 영구자석과 아라고판(Arago plate)에 대한 설명으로 틀린 것은?

7. 진공 중에 있는 두 점자극 +m(Wb)와 -m(Wb)가 r(m) 거리에 있을 때, 두 점자극을 잇는 직선의 중앙점에서 자계의 크기(AT/m)는?

8. 반지름 50cm인 서로 나란한 두 원형코일을 1mm 간격으로 동축 상에 평행 배치한 후 각 코일에 100A의 전류가 같은 방향으로 흐를 때 코일 상호간에 작용하는 인력은 약 몇 N 인가?

9. 투자율 μ(H/m)에서 길이 ℓ(m), 간격 d(m)인 두 평행도선 사이의 상호인덕턴스(H)는? (단, ℓ ≫ d이다.)

10. 어떤 코일의 전류와 자속의 특성이 그림과 같이 주어졌다고 한다. 전류가 25A이면 이 코일에 저장되는 에너지는 몇 J 인가?

11. 정전계에 대한 설명 중 틀린 것은?

12. 비유전율 ε_s=80, 비투자율 μ_s=1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 Ω 인가?

13. 공극의 겉넓이가 S_a=4.26×10^-2m²이고, 길이가 l_a=5.6㎜인 직류기에 있어서 공극의 자기저항은 약 몇 AT/Wb 인가?

14. 다음 식 중 틀린 것은?

15. Є₁ ＞ Є₂인 두 유전체의 경계면에 전계가 수직으로 입사할 때 경계면에 작용하는 힘은?

16. 전기량이 0.2C인 점전하가 전계 E=5j+k(V/m) 및 자속밀도 B=2j+5j(Wb/m²)인 전자계에 v=2i+3j(m/s)의 속도로 돌입할 때 점전하에 작용하는 힘(N)은? (오류 신고가 접수된 문제입니다. 여기서는 3번을 누르면 정답 처리됩니다.)

17. 다음 중 저항률이 가장 작은 것은?

18. 동일한 금속 도선의 두 점 사이에 온도차를 주고 전류를 흘리면 열의 발생 또는 흡수가 일어나는 현상은?

19. 환상철심 코일에 5A의 전류를 흘려 2000AT의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는?

20. 진공 중에서 내구의 반지름 a=3cm, 외구의 내반지름 b=9cm인 두 동심구 사이의 정전용량은 몇 pF 인가?

21. R-C 병렬회로에 60hz, 100V를 가하였을 때 유효전력 800W, 무효전력 600Var이면 저항R[Ω], 정전용량 C[μF]의 값은?

22. 전류 i 방향으로의 2Ω 양단에서의 전압강하는?

23. R=20Ω, L=0.05H, C=1μF인 R-L-C 직렬회로에서 Q는 약 얼마인가?

24. 크기 A인 임펄스의 스펙트럼(amplitude sprctrum)은?

25. 다음 회로에서 VO(t)의 실효값은?

26. 다음 설명이 나타내는 것은?

27. 다음 그림과 같은 4단자 회로망의 4단자 정수에서 C는?

28. 함수 f(t)=sinωt+2cosωt의 라플라스 변환은?

29. R-C 직렬회로에 직류전압 5V를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON 한다면 커패시터 양단에 걸리는 전압 V_c 는? (단, R=1Ω, C=1F 이다.)

30. 필터의 차단 주파수는 출력 전압이 입력 전압의 몇 배인 주파수로 정의하는가?

31. 다음 그림과 같은 파형의 Laplace 변환은?

32. 5H의 인덕터에 v(t)=20√2 cos(ωt-30°)V의 전압을 인가하였을 때 인덕터 흐르는 전류 i(t)의 순시값은? (단, ω=100[rad/s]이다.)

33. 다음 회로에서 스위치 SW를 닫은 후 t가 2초일 때 회로에 흐르는 전류는 몇 A 인가?

34. v(t)=cos2πf0t을 Fourier 변환한 V(f)를 구하면?

35. R=20Ω, X_L=10Ω, X_C=5Ω을 병렬로 접속한 회로의 어드미턴스 Y[℧]은 얼마인가?

36. V_t=V_msin(ωt50°)와 I_t=I_mcos(ωt-80°)의 위상차는?

37. 입력과 출력신호를 각각 x(t), y(t)라고 할 때, 아래 미분방정식의 전달함수는? (단, y(0)=0이다.)

38. 10μF의 커패시터에 10V, 50Hz의 교류전압을 인가할 때 무효 전력은 몇 Var 인가?

39. 그림과 같은 시간함수를 라플라스 변환하면?

40. 4단자망의 파라미터에 대한 설명으로 틀린 것은?

41. 불대수에서 (A++B)(A+C)와 등식이 성립하는 것은?

42. 동기 3단 2진 카운터 회로를 설계할 때, JK-FF(Flip Flop) 3개와 어떤 게이트 1개를 사용하면 되는가?

43. 다음과 같은 논리회로에 대한 설명으로 틀린것은?

44. 다음의 클램퍼 회로에서 그림과 같은 입력신호가 주어질 때 출력 파형의 모양은?

45. 귀환에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

46. 다음 발진 회로에서 발진 주파수는?

47. 다음 회로에서 R_e의 주 역할은? (단, C의 값은 매우 크다.)

48. 다음 회로의 출력전압(V_O)의 파형은? (단, R_f는 무시한다.)

49. 다음 설명 중 래치와 플립플롭을 구분하는 트리거로 옳은 것은?

50. A급 전력 증폭기에서 최대의 출력을 얻기 위하여 필요한 바이어스 조건은?

51. 아래 그림과 같은 연산증폭기에서 V_i=V₁sinωt란 입력이 들어왔을 때 출력전압(V_o)의 값은? (단, R=1MΩ, C=2μF, V₁=2V, ω=120π[rad/sec]이다.)

52. 다음 회로에 대한 설명으로 틀린 것은?

53. 다음 중 불대수의 정리가 성립되지 않는 것은?

54. 다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 ro와 가장 관련이 깊은 것은?

55. TTL과 비교하여 CMOS 논리회로의 특징이 아닌 것은?

56. 4변수 카르노 맵을 이용하여 정리한 논리식 중에서 틀린 항은? (문제 오류로 실제 시험에서는 1, 2, 4번이 정답 처리되었습니다. 여기서는 1번을 누르면 정답 처리됩니다.)

57. hoe가 50×10^-6[℧]인 트랜지스터를 200[Ω]의 부하와 정합시키려면 정합 변압기의 권선비(turnratio)는?

58. 상승시간이 0.175μs인 연산증폭기를 이용하여 20kHz의 정현파 신호를 증폭하려고 할 때 최대로 얻을 수 있는 전압이득은 약 몇 dB 인가? (단, 이득 대역폭 적(G∙B)=0.35/상승시간이다.)

59. 다음 그림은 터널 다이오드(Tunnel Diode) 전압-전류 특성곡선이다. 발진이 일어날 수 있는 영역은?

60. 다음 회로의 명칭은 무엇인가? (단, R₁=R₂=R₃=R_F이다.)

61. 운동 전자의 드브로이 파장이 3×10^-10[m]인 경우 전자의 속도는? (단, 프랭크 상수 h=6.6×10^-34[Jㆍsec]전자의 질량 m=9.1×10^-31[kg] 이다.)

62. 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?

63. 전자와 정공의 농도(concentration)를 구하는 것에 이용될 수 있는 것은?

64. 다음 중 전류 제어용 소자는?

65. 펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?

66. pn 접합 다이오드에 역방향 바이어스 전압을 공급할 때의 특징으로 틀린 것은?

67. 300[K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은 약 얼마인가?

68. 재결합 중심(recombination center)의 원인이 되는 설명으로 옳지 않은 것은?

69. 서미스터(thermistor)에 대한 설명 중 틀린 것은?

70. 순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?

71. 부성(negative) 저항 특성을 나타내는 다이오드는?

72. FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?

73. 전자의 입자와 파동의 이중성을 설명하는 드브로이파(de Broglie wave, 물질파)에 관한 올바른 식은? (단, h: 프랭크 상수, m: 전자의 질량, υ: 속도, λ: 파장이다.)

74. P 채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

75. 서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류전류를 흐르게 했을 때, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 되는 효과를 무엇이라 하는가?

76. 에너지 Level E가 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때, 에너지 Level E가 정공에 의해서 채워질 확률은?

77. 접합형 트랜지스터가 스위치로 쓰이는 영역은?

78. 진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은? (단, 전자와 정공의 유효질량은 같다고 가정한다.)

79. 고속의 전자(이온)가 금속의 표면에 충돌하면 금속 안의 자유전자가 방출되는 현상은?

80. 베이스 폭(d)이 0.02mm 이고, 전자의 확산계수(De)가 0.02[m² /sec]인 트랜지스터의 차단주파수는 약 MHz 인가?

81. 4-단계 파이프라인 구조의 컴퓨터에서 클락주기가 1μs일 때, 10개의 명령어를 실행하는데 걸리는 시간은?

82. Associative 기억장치의 특징에 대한 설명으로 가장 적합하지 않은 것은?

83. 부동소수점 연산에서 정규화의 이유로 가장 타당한 것은?

84. C 프로그램에서 선행처리기에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

85. CPU의 제어ㆍ기억장치에서 주소를 결정하는 방법에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

86. 마이크로프로그램을 이용한 제어 방식의 특징에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

87. 컴퓨터 주기억장치의 용량을 1MB(Mega Byte)의 크기로 구성하려고 한다. 1 바이트가 8 bit이고 Parity bit를 포함한다면 64KB(Kilo Byte) DRAM의 칩이 몇 개가 필요한가? (오류 신고가 접수된 문제입니다. 여기서는 4번을 누르면 정답 처리됩니다.)

88. 마이크로컴퓨터 내에서 각 장치 간의 정보교환을 위해 필요한 물리적 연결은?

89. CPU가 명령어를 실행할 때의 메이저 상태에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

90. 마이크로컴퓨터와 외부의 입ㆍ출력 장치 간의 정보 교환을 수행하는 것은?

91. STACK에 관한 용어 또는 명령어로 가장 관련이 없는 것은?

92. CPU가 입ㆍ출력 데이터 전송을 메모리에서의 데이터 전송과 같은 방법으로 수행할 수 있는 입ㆍ출력 제어방식은?

93. 64 Kilo Bit DRAM이 몇 개 있어야 128 Kilo Byte의 용량이 되는가?

94. 그림과 같은 JK 플립플롭을 결선하고, 클락펄스를 계속 인가하였을 때의 출력상태는?

95. 2진수 10111101001를 16진수로 변환시킨 것은?

96. 시스템 소프트웨어에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

97. DMA(Direct Memory Access)에 관한 설명으로 올바른 것은?

98. 마이크로소프트사에서 디바이스 드라이버의 개발을 표준화시키고 호환성을 가지게 하기 위해 만든 드라이버 모델은?

99. 16×8 ROM을 설계할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?

100. 순서도(flowchart) 작성 시 주의사항에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?