1. 자기회로에서 철심의 투자율을 μ라 하고 회로의 길이를 ℓ이라 할 때 그 회로의 일부에 미소공극 ℓ_g를 만들면 회로의 자기저항은 처음의 몇 배인가? (단, ℓ_g ≪ ℓ즉 ℓ - ℓ_g ≒ ℓ이다.)

2. 평행편판 공기콘덴서의 양 극판에 +σ[C/m²], -σ[C/m²]의 전하가 분포되어 있다. 이 두 전극 사이에 유전율 Є[F/m]인 유전체를 삽입한 경우의 전계 [V/m]는? (단, 유전체의 분극전하밀도를 +σ′[C/m²], -σ′[C/m²]이라 한다.)

• σ / Є₀
• σ+σ′ / Є₀
• σ/Є₀ - σ′/Є
• σ-σ′ / Є₀

3. 매질1(ε₁)은 나일론(비유전율 ε_s=4)이고 매질2(ε₂)는 진고일 때 전속밀도 D가 경계면에서 각각 θ₁, θ₂의 각을 이룰 때, θ₂=30°라면 θ1의 값은?

4. 300회 감은 코일에 3[A]의 전류가 흐를 때의 기자력[AT]은?

5. 자계와 직각으로 놓인 도체에 I[A]의 전류를 흘릴 때 f[N]의 힘이 작용하였다. 이 도체를 v[m/s]의 속도로 자계와 직각으로 운동시킬 때의 기전력 e[V]는?

6. 반지름 a, b인 두 개의 구 형상 도체 전극이 도전율 k인 매질 속에 중심거리 값 만큼 떨어져 있다. 양 전극 간의 저항은? (단, ar ≫ a, b이다.)

7. 구리로 만든 지름 20cm의 반구에 물을 채우고 그 중에 지름 10cm의 구를 띄운다. 이 때에 두 개의 구가 동심구라면 두 구 사이의 저항은 약 몇 Ω인가? (단, 물의 도전율은 10-3[℧/m]라 하고, 물이 충만 되어 있다고 한다.)

8. 자기회로에 관한 설명으로 옳은 것은?

9. 면적이 S[m²]인 금속판 2매를 간격이 d[m]되게 공기 중에 나란하게 놓았을 때 두 도체 사이의 정전용량[F]은?

10. 일반적인 전자계에서 성립되는 기본방정식이 아닌 것은? (단, i는 전자밀도, ρ는 공간전하밀도이다.)

11. 옴의 법칙을 미분형태로 표시하면? (단, i는 전류밀도이고, ρ는 저항률, E는 전계이다.)

12. 0.2μF인 평행판 공기 콘덴서가 있다. 전극 간에 그 간격의 절반 두께의 유리판을 넣었다면 콘덴서의 용량은 약 몇 μF 인가? (단, 유리의 비유전율은 10이다.)

13. 기계적인 변형력을 가할 때, 결정체의 표면에 전위차가 발생되는 현상은?

14. 길이가 1cm, 지름이 5mm인 동선에 1A의 전류를 흘렸을 때 전자가 동선을 흐르는 데 걸리는 평균 시간은 약 몇 초인가? (단, 동선의 전자밀도는 1×10²⁸[개/m³]이다.)

15. 두 개의 콘덴서를 직렬접속하고 직류전압을 인가시 설명으로 옳지 않은 것은?

16. 폐회로에 유도되는 유도기전력에 관한 설명으로 옳은 것은?

17. 한 변의 길이가 √2m인 정사각형의 4개 꼭짓점에 +10^-9 C의 점전하가 각각 있을 때 이 사각형의 중심에서의 전위[V]는?

18. 그림과 같은 반지름 a인 무한장 평행도체 A, B가 간격 d로 놓여 있고, 단위 길이당 각각 +λ, -λ의 전하가 균일하게 분포되어 있다. A, B 도체 간의 전위차[V]는? (단, d ≫ a이다.)

19. 전계 E[V/m], 자계 H[AT/m]의 전자계가 평면파를 이루고, 자유공간으로 단위 시간에 전파될 때 단위 면적당 전력밀도[W/m²]의 크기는?

20. 면전하 밀도가 ρs[C/m²]인 무한히 넓은 도체판에서 R[m]만큼 떨어져 있는 점의 전계의 세기[V/m]는?

21. S 평면상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?

22. 두 코일 간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 틀린 것은?

23. 부하저항 R_L에 최대 전력을 공급하려면 RL의 값은 몇 Ω 인가?

24. (A)와 (B)회로는 가역정리(reciprocity theorem)가 성립할 경우 (A)회로에서 I_L이 0.5A일 때, (B)회로의 전류 I는 몇 A 인가?

25. 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 나타날 때 D 값은? (단, D는 단락 역방향 전류 이득이다.)

26. 임피던스가 인 2단자 회로에 직류전원 20A를 인가할 때 회로단자 전압은 몇 V 인가?

27. 다음 회로에서 단자 a, b에 나타나는 전압은 몇 V 인가?

28. 4단자 정수 A, B, C, D 중에서 어드미턴스의 차원을 가진 정수는?

29. 자기 인덕턴스 L₁, L₂가 각각 5mH와 10mH인 두 코일이 이상 결합하였다면 상호 인덕턴스는 약 몇 mH 인가?

30. 상수 1의 라플라스 역변환은?

31. 공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳은 것은?

32. 그림과 같은 회로에서 특성 임피던스 Z_o는 약 몇 Ω 인가?

33. RC 저역 필터 회로의 전달 함수 G(s)는?

34. 저항과 커패시터를 병렬로 접속한 회로에 직류를 10V를 가하면 2A가 흐르고, 교류 30V를 가하면 10A가 흐른다. 이때, 용량성 리액턴스는 몇 Ω인가?

35. 전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?

36. 60Hz에서 5Ω의 리액턴스를 갖는 자기 인덕턴스 mH와 정전 용량 μF은 각각 얼마인가?

37. 다음과 같은 그림에서 부하 임피던스 Z_L=R_L+jX_L 의 R_L=400Ω은 고정시키고, X_L만을 조정하여 부하 측으로 얻을 수 있는 최대 전력이 R_L, X_L을 모두 조정해서 얻는 부하 최대전력의 몇 %가 되는가?

38. 임의의 회로에서 유효전력이 40W이고, 무효전력이 30Var일 때 무효율은?

39. 의 역 라플라스 변환은?

40. 다음 회로에 관한 설명으로 틀린 것은?

41. C급 전력증폭기의 효율은?

42. 다음 중 JK 플립플롭의 특성방정식으로 옳은 것은? (단, Q는 현재 상태(present state)이고 Q(t+1)은 다음 상태(next state)이다.)

43. M/S 플립플롭은 어떠한 현상을 해결하기 위한 것인가?

44. 주파수 변조에서 최대 주파수 편이가 60kHz이고 최대 변조 주파수가 6kHz라면 변조도는? (단, 변조지수는 8이다.)

45. 아래 회로의 주파수 특성과 가장 관계가 깊은 것은?

46. 윈 브리지(Wien Bridge) 발진기의 특징 중 옳은 것은?

47. 다음 중 수정발진자에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

48. 다음 회로에서 R_i=1MΩ이고, R_f=4MΩ일 때, 전압증폭도 A_vf는?

49. 드리프트(drift) 현상의 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?

50. 부귀환 증폭기회로의 특징으로 옳지 않은 것은?

51. 다음 그림 3-상태 출력 버퍼에서 출력(F)이 1인 경우의 입력은?

52. 다음의 진리표를 갖는 조합회로 구성으로 맞는 것은?

53. 증폭 회로의 고주파 응답을 결정하는 요소는?

54. 다음과 같은 RC결합 증폭회로에서 전력 증폭도는 얼마인가? (단, h_fe=50, h_ie=2kΩ 이다.)

55. 3비트 2진 하향 카운터의 상태수가 8가지인 경우 JK플립플롭은 몇 개가 필요한가?

56. 연산증폭기의 전달함수 (G(s))의 V₂(s)/V₁(s)는? (오류 신고가 접수된 문제입니다. 여기서는 2번을 누르면 정답 처리됩니다.)

57. 입력이 정현파일 때 그림의 회로는 무엇인가?

58. 증폭기의 귀환에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

59. 트랜지스터 정 특성에서 V_CE=6V이고, I_B를 600㎂~850㎂까지 변화시킬 때 V_BE가 0.2V~0.3V의 변화를 하였다면 h_ie는 몇 Ω 인가?

60. 다음과 같은 멀티플렉서를 이용하여 구성한 조합논리회로가 나타내는 논리식을 SUM of Minterms 현태로 표시하면?

61. 1cm의 반도체에 1V를 인가했을 때 이동하는 캐리어 속도를 무엇이라고 하는가?

62. 다음 배리스터(Varistor)에 대한 설명 중 틀린것은?

63. 접합형 트랜지스터의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은? (오류 신고가 접수된 문제입니다. 여기서는 3번을 누르면 정답 처리됩니다.)

64. 균등전계 내 전자의 운동에 관한 설명 중 틀린것은?

65. 다음 반도체에 관한 설명 중 틀린 것은?

66. 전계의 세기가 E=100[V/m]인 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는? (단, 전하량은 1.602×10^-19[C], 전자의 질량은 9.11×10^-31[kg]이다.)

67. Fermi 준위에서의 Fermi-Dirac의 확률 분포함수 f(E)의 값은?

68. 균등자계(B) 내에 수직으로 속도 v로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?

69. 집적회로 내에서 전기적인 상호배선 사이의 절연과 불순물 확산에 대한 보호층을 형성하는 반도체 공정은?

70. 수소 원자에서 원자핵 주위를 돌고 있는 전자가 에너지 준위 E₁(-5.14×10^-12[erg]) 상태에서, 에너지 준위 E₂(-21.7×10^-12[erg]) 상태로 천이할 때 내는 빛의 진동수는 약 얼마인가? (단, 플랑크 상수 h=6.63×10^-27[ergㆍsec]이다.)

71. 금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?

72. 1Ω의 교류저항 성분을 가지는 PN 접합 다이오드가 상온에서 순방향으로 바이어스(Bias) 걸려 있을 때 흐르는 순방향 전류는 약 몇 A인가?

73. 음전하를 금속표면 근처에 가져오면 양전하가 금속에 유기되고, 이것으로 인한 영상력(image force)이 인가전계와 결합되면 일함수는 약간 감소하는데, 이와 같이 전위장벽이 저하하는 현상은?

74. 온도가 상승함에 따라 불순물 반도체의 페르미 준위는?

75. 진성 반도체에서 온도가 상승할 때 나타나는 현상은?

76. 쇼트키(schottky) 다이오드는 어떠한 접촉에 의하여 이루어지고 있는가?

77. 캐리어의 확산 속도는? (단, 캐리어 밀도는 m, 거리는 x이다.)

78. PN 접합에서 푸아송(Poisson) 방정식을 올바르게 나타낸 식은? (단, V:전압, I:전류, x:거리, ρ: 전하밀도, Є:유전율이다.) (오류 신고가 접수된 문제입니다. 여기서는 3번을 누르면 정답 처리됩니다.)

79. 일함수(work function)의 설명 중 틀린 것은?

80. PN 접합 다이오드의 공핍층(depletion layer)과 공일한 용어는?

81. 연산 처리된 10진 데이터를 입ㆍ출력하기 위한 데이터 형식은?

82. 다음 용어에 따른 설명이 옳지 않은 것은?

83. 연산자(operation)의 기능에 속하지 않는 것은?

84. 다음 중 순차 논리 회로에 해당되는 것은?

85. CPU에서 트랜지스터 회로가 구현할 수 있는 기본 기능이 아닌 것은?

86. 보통의 마이크로프로세서 코드에서 오퍼랜드가 될 수 없는 것은?

87. 조건에 따라 처리를 반복ㆍ실행하는 플로우차트의 기본형은?

88. 파일에 레코드 개수가 256개가 있다. 이진 검색으로 특정키를 검색할 때 최대 비교 횟수는?

89. 스택과 관련된 PUSH 및 POP 명령어의 명령형식과 가장 관계가 깊은 것은?

90. CPU의 B 레지스터에 2의 보수 10101101 이 저장되어 있을 때 B 레지스터에 산술적 우측 시프트를 세 번 수행한 결과는?

91. 비트 슬라이스 마이크로프로세서를 구성하는 요소가 아닌 것은?

92. 마이크로컴퓨터의 입ㆍ출력 전송 방법 중 Cycle stealing을 하는 방법은?

93. 어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?

94. 다음 중 CPU 성능에 중요한 영향을 미치는 요소가 아닌 것은?

95. 다음 C 프로그램의 실행 결과로 옳은 것은?

96. 1-주소 명령 방식에 해당하는 CPU 구조는?

97. 1024×8 Bit ROM에 필요한 주소 및 데이터 핀의 수는 최소 몇 개인가?

98. 다음 소프트웨어의 분류를 나타내는 단어들 중 성격이 다른 하나는?

99. 다음 회로에서 클록 신호가 0에서 1로 바뀔 때, S=0, R=1이면 출력은 얼마인가?

100. 입출력 채널에 대한 설명 중 잘못된 것은?