1. 자기모멘트 9.8×10^-5[Wbㆍm]의 막대자석을 지구자계의 수평성분 10.5[AT/m]인 곳에서 지자기 자오면으로부터 90° 회전시키는데 필요한 일은 약 몇 J 인가?

• 1.03×10^-3
• 1.03×10^-5
• 9.03×10^-3
• 9.03×10^-5

2. 그림과 같이 반지름 10[cm]인 반원과 그 양단으로부터 직선으로 된 도선에 10[A]의 전류가 흐를 때. 중심 0에서의 자계의 세기와 방향은?

• 2.5[AT/m], 방향 ⊙
• 25[AT/m], 방향 ⊙
• 2.5[AT/m], 방향 ⊗
• 25[AT/m], 방향 ⊗

3. 전자파의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?

• 전자파의 속도는 주파수와 무관하다.
• 전파 E_x를 고유임피던스로 나누면 자파 H_y가 된다.
• 전파 E_x와 자파 H_y의 진동방향은 진행 방향에 수평인 종파이다.
• 매질이 도전성을 갖지 않으면 전파 E_x와 자파 H_y는 동위상이 된다.

4. 무한히 넓은 두 장의 평면판 도체를 간격 d(m)로 평행하게 배치하고 각각의 평면판에 면전하밀도 ±σ(C/m²)로 분포되어 있는 경우 전기력선은 면에 수직으로 나와 평행하게 발산한다. 이 평면판내부의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?

5. 패러데이 관에 대한 설명으로 틀린 것은?

6. 쌍극자모멘트가 M(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 점 P의 전계는 에서 어떻게 되는가? (단, θ는 전기쌍극자의 중심에서 축 방향과 점 P를 잇는 선분의 사이 각이다.)

7. 평행판 콘덴서에 어떤 유전체를 넣었을 때 전속밀도가 4.8×10^-7[C/m²]이고 단위체적당 정전에너지가 5.3×10^-3[J/m³]이었다. 이 유전체의 유전율은 몇 F/m 인가?

8. 환상 철심에 권선수 20인 A코일과 권선수 80인 B코일이 감겨 있을 때, A코일의 자기인덕턴스가 5[mH]라면 두 코일의 상호인덕턴스는 몇 mH인가? (단, 누설자속은 없는 것으로 본다.)

9. 다음 식 중에서 틀린 것은?

10. 자기회로에서 키르히호프의 법칙에 대한 설명으로 옳은 것은?

11. W₁과 W₂의 에너지를 갖는 두 콘덴서를 병렬 연결한 경우의 총 에너지 W와의 관계로 옳은 것은? (단, W₁≠W₂이다.)

12. 한 변이 L(m)되는 정사각형의 도선회로에 전류 I(A)가 흐르고 있을 때 회로 중심에서의 자속밀도는 몇 Wb/m² 인가?

13. 자유공간 중에 x=2, z=4인 무한장 직선상에 ρ_L(C/m)인 균일한 선전하가 있다. 점(0,0,4)의 전계 E(V/m)는?

14. 압전효과를 이용하지 않은 것은?

15. 단면적 S(m²), 단위 길이당 권수가 n₀(회/m)인 무한히 긴 솔레노이드의 자기인덕턴스(H/m)를 구하면?

16. 표피효과에 대한 설명으로 옳은 것은?

17. 그림과 같은 원통상 도선 한 가닥이 유전율 ε(F/m)인 매질 내에 지상 h(m) 높이로 지면과 나란히 가선되어 있을 때 대지와 도선간의 단위길이당 정전용량(F/m)은?

18. 두 종류의 유전율(Є₁, Є₂)을 가진 유전체 경계면에 진전하가 존재하지 않을 때 성립하는 경계조건을 옳게 나타낸 것은? (단, θ₁, θ₂는 각각 유전체 경계면의 법선벡터와 E₁, E₂가 이루는 각이다.)

19. 감자력이 0인 것은?

20. 전위 V=3xy+z+4일 때 전계 E는?

21. 직렬공진 대역통과 필터에서 공진주파수에서의 최대 전류가 20[mA]일 때 차단 주파수에서의 전류값은 몇 mA 인가?

22. 감쇄되지 않고 잘 통과되는 주파수 범위를 나타내는 것은?

23. 이상적인 변압기의 조건으로 옳은 것은?

24. 그림과 같은 브리지 회로가 평형이 되기 위한 의 값은? (단, G는 검류계이다.)

25. 리액턴스 함수가 으로 표시되는 리액턴스 2 단자망에 대한 설명 중 틀린 것은?

26. t의 함수 f(t)=f(-t)의 조건을 만족할 때 f(t)는?

27. 그림과 같은 L형 회로에 대한 영상 임피던스 Z₀₁과 Z₀₂을 구하면?

28. 로 주어지는 2단자 회로망에 직류 전압 5[V]를 인가 시 회로망에 흐르는 정상상태에서의 전류는 몇 A 인가? (단, s+jw 이다.)

29. 그림의 회로에서 t=0일 때 a에 닫혀 있는 스위치를 b로 전환하였을 때 저항에 흐르는 전류는?

30. 100[V], 30[W]의 형광등에 100[V]를 가했을 때, 0.5[A]의 전류가 흐르고 그 소비전력이 25[W]이면 이 형광등의 역률은 몇 % 인가?

31. 그림의 회로에서 독립적인 전류방정식 N과 독립적인 전압방정식 B는 몇 개인가? (오류 신고가 접수된 문제입니다. 여기서는 2번을 누르면 정답 처리됩니다.)

32. 델타 함수의 시간 지연인 δ(t-t₀)의 Fourier 변환은?

33. 무손실 분포정수 선로의 특성 임피던스 Z_O는?

34. R-L 직렬회로에서 L은 0.4[H], R은 2[Ω]일 때 시정수는 몇 ms 인가?

35. 이상적인 전압원의 내부 임피던스 Z는?

36. 대칭 4단자 망에 관한 내용으로 옳은 것은?

37. 다음 회로가 모든 주파수에서 공진하기 위한 저항 R의 값은 몇 Ω 인가?

38. 콘덴서와 코일에서 실제로 급격히 변화할 수 없는 것은?

39. 어떤 콘덴서의 회로에 커패시턴스를 2배로 하고, 주파수를 1/5로 하면 흐르는 전류는 어떻게 되는가? (단, 커패시턴스 양단 전압은 일정하다.)

40. 그림과 같은 삼각파의 파고율은?

41. 논리 게이트 중 Fan-out이 가장 큰 것은?

42. 발진기 회로의 발진 조건은?

43. 전가산기를 구성할 때 필요한 게이트는?

44. B급 푸시풀 증폭기 회로에서 최대 평균전력은 몇W 인가?

45. 트랜지스터의 컬렉터 전류에 대한 설명으로 옳은 것은?

46. 계수기의 현재 출력이 Q_A=0, Q_B=1, Q_C=1일 때 그 다음 출력으로 가장 적합한 것은? (오류 신고가 접수된 문제입니다. 여기서는 1번을 누르면 정답 처리됩니다.)

47. 연산증폭기 회로에서 R₁=10[kΩ], R₂=100[kΩ]일 때 귀환율(β)은 약 얼마인가?

48. 그림과 같은 회로의 발진 주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, C₁=200pF, C₂=100pF, L=10mH, π=3.14이다.)

49. 푸시풀(push-pull) 전력 증폭기가 왜곡이 적은 큰 출력을 얻을 수 있는 주된 원인은?

50. 연산 증폭기 회로에서 부귀환을 사용하여 얻을 수 있는 장점이 아닌 것은?

51. 그림의 회로에서 부하 저항 RL에 흐르는 전류는 몇 mA 인가?

52. 연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?

53. MOSFET로 구성된 다음 회로는 어떤 논리 게이트인가? (단, 회로에서 Q₁과 Q₂는 p 채널이고, Q₃과 Q₄는 n 채널이다.)

54. 적분기와 미분기의 귀환 소자를 옳게 나열한 것은?

55. 그림과 같은 콘덴서 입력형 π형 필터에서 작은 맥동률이 나타나게 설계하기 위한 L, C의 값으로 옳은 것은?

56. 회로도에 대한 설명으로 옳은 것은?

57. 그림과 같은 RC회로에 입력 V_i가 공급될 때 출력 V_o는?

58. 전력 이득을 가장 크게 얻을 수 있는 결합 방식은?

59. 이미터 플로워(Emitter Follower) 증폭기에서 입력 신호에 대하여 그림과 같은 출력 전류 신호를 얻었다면 어떤 방식에 해당되는가?

60. 정전압 전원회로에서 무부하시의 단자전압이 13[V], 전부하일 때의 단자전압이 10[V]라면 전압변동률은 몇 % 인가?

61. Pauli의 배타율 원리에 대한 설명으로 틀린 것은?

62. 반도체에 전계(E)를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도 방향은?

63. 기체 중에서 방전 현상은 어느 현상에 해당하는가?

64. 실리콘 PN 접합에서 단면적이 0.1[mm²], 공간전하 영역 폭이 2×10^-4[cm]일 때 공간전하 용량은 약 얼마인가? (단, Si의 비유전율은 12, ε₀=8.85×10^-12[F/m])

65. 정공의 확산계수를 D_p, 정공의 확산거리가 L_p로 주어졌을 때, 정공의 평균수명시간 τ_p를 나타낸 식은?

66. 페르미준위 Ef에서 진성 반도체의 Fermi-Dirac 분포 함수의 값은?

67. PN 접합 양측에 불순물 함유량이 많을 경우에 일어나는 현상이 아닌 것은?

68. 펀치 스루(punch-through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

69. 다음 중 어떤 에너지 준위에 입자가 존재할 확률을 의미하는 분포함수가 아닌 것은?

70. 터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은?

71. 트랜지스터의 제조에서 에피택시얼 층(epitaxia layer)이 많이 사용되는 이유는?

72. Fermi 준위에 대한 설명으로 올바른 것은?

73. 진성 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?

74. 빛의 파장이 1[Å]일 때 광자의 에너지는?

75. pn접합 다이오드의 확산 용량(diffusion capacitance)에 관한 설명으로 옳은 것은?

76. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)를 베이스 접지하고 컬렉터 전압을 일정하게 유지하며 이미터 전류를 4[mA] 변화시킬 때 컬렉터 전류가 3.8[mA] 변화하였다. 이 트랜지스터의 전류 증폭률 α와 β는?

77. 금속의 광전자 방출에 관한 설명으로 옳은 것은?

78. 평형 상태에서 n형 불순물 반도체의 홀(hole) 농도를 나타낸 것은? (단, n_i: 진성반도체의 캐리어 밀도 N_d: 도너 농도이다.

79. 핀치오프 전압 V_P이 -4[V]이고, V_GS가 0일 때 드레인 전류 IDSS가 8[mA]인 JFET에서 V_GS가 -1.8[V]일 때 드레인 전류는 몇 mA 인가?

80. 페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는?

81. 프로그래밍 언어 중 객체지향언어가 아닌 것은?

82. 데이터 버스 폭이 32비트이고 버스 클럭 주파수가 10[MHz]일 때 버스 대역폭은?

83. 처리 능력을 향상시키기 위한 방법이 아닌 것은?

84. 인터럽트 동작의 수행 순서를 올바르게 나열한 것은?

85. 컴퓨터의 명령어 분류 방식에서 반드시 누산기(Accumulator)를 사용하는 방식은?

86. 외부 인터럽트(External Interrupt) 발생 원인이 아닌 것은?

87. 인터럽트 원인이 될 수 있는 것은?

88. 한 word가 24비트로 이루어지고 총 32768개의 word를 가진 기억장치가 있다. 이 기억장치를 사용하는 컴퓨터 시스템의 MBR(Memory Buffer Register), MAR(Memory Address Register), PC(Program Counter)에 필요한 각각의 비트수는?

89. CPU의 기본 구조가 아닌 것은?

90. 입ㆍ출력 데이터 전송 시 중앙처리장치의 레지스터를 경유하지 않고 수행되는 방식은?

91. 다음 운영체제(OS)의 구성요소 중 제어 프로그램(Control Program)에 포함되지 않는 것은?

92. 행의 수가 7이고 열의 수가 5인 7×5 이차원 배열(array) a의 각 자료의 위치는 a[행][열]로 표시한다. 행주도순서(row major order)를 사요하고 a[1][1]이 1번지일 때 a[3][4]는 몇 번지인가?

93. 자료의 내부적인 표현과 관련이 없는 것은?

94. 어떤 특정한 비트 또는 분자를 삭제할 때 사용하는 연산은?

95. 2진수 데이터를 산술적 시프트(Shift)하여 오른쪽으로 4번 이동하면? (단, 읽어버린 비트와 새로 들어온 비트는 모두 0이다.)

96. 16진수 A3B(16)를 10진수로 변환한 것은?

97. 복수 모듈 기억장치는 데이터를 전달할 때 어떤 개념을 사용하는가?

98. 흐름도(Flow Chart)의 필요성으로 거리가 먼 것은?

99. 중앙처리장치의 네 가지 상태에 해당되지 않는 것은?

100. 일반적인 명령어 형식을 나타낸 것은?