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1. 자격요약

자격명 :
전자기사
영문명 :
Engineer Electronics
관련부처 :
산업통상자원부
시행기관 :
한국산업인력공단
응시자격 :
제한있음
자격분류 :
국가기술자격증
홈페이지 :
www.q-net.or.kr
자격증 관계도

전지기기기능사, 전자산업기사, 전자기사

2. 자격정보

□ 전자기사
응시자격을 갖추고 한국산업인력공단에서 시행하는 전자기사 자격시험에 합격하여 그 자격을 취득한 자를 말함.
전자산업의 발전으로 각종 전자기기를 설계, 시공, 분석할 수 있는 전문기술인력을 양성하기 위하여 제정됨.
□ 주요특징
전자에 관한 공학 기초지식을 바탕으로 전자기기 및 전자회로의 설계업무를 담당.
기술기초이론을 가지고 부품가공 및 조립, 검사 등의 작업 전반을 관리하며 부분적으로 기계 기구의 설치와 보수작업을 수행.
□ 진로 및 전망
취업

- 가전제품생산업체, 통신장비생산업체, 음향기기 및 방송 장비 생산업체, 컴퓨터·사무 자동화기기 관련 장비 제조업체, 전자제품 수리전문업체 등 전자제품이 이용되는 관련분야로 취업 가능.

- 전동차, 비행기, 선박 등의 검사 요원으로 활동 가능.

우대

- 국가기술자격법에 의해 공공기관 및 일반기업 채용 시 그리고 보수, 승진, 전보, 신분보장 등에 있어서 우대받을 수 있음.

가산점

- 6급 이하 및 기술직 공무원 채용시험 시 가산점.

- 공업 직렬의 항공우주, 전자, 물리 직류, 해양수산직렬의 수로, 해양교통시설 직류, 방송통신직렬의 전 직류에서 채용계급이 8·9급, 기능직 기능 8급 이하와 6·7급, 기능직 기능 7급 이상일 경우 모두 5%의 가산점.

- 다만, 가산 특전은 매 과목 4할 이상 득점자에게만, 필기시험 시행 전일까지 취득한 자격증에 한함.

3. 시험정보

□ 시험일정 ( 원서접수 첫날 10:00부터 마지막 날 18:00까지 )
구분 필기원서접수
(인터넷)
필기시험 필기합격
(예정자)발표
실기원서접수 실기시험 최종합격자
발표일
2024년 기사 1회 2024.01.23 ~
2024.01.26
2024.02.15 ~
2024.03.07
2024.03.13 2024.03.26 ~
2024.03.29
2024.04.27 ~
2024.05.12
2024.06.18
2024년 기사 2회 2024.04.16 ~
2024.04.19
2024.05.09 ~
2024.05.28
2024.06.05 2024.06.25 ~
2024.06.28
2024.07.28 ~
2024.08.14
2024.09.10
2024년 기사 3회 2024.06.18 ~
2024.06.21
2024.07.05 ~
2024.07.27
2024.08.07 2024.09.10 ~
2024.09.13
2024.10.19 ~
2024.11.08
2024.12.11
□ 수수료

필기 : 19,400원
실기 : 44,800원

□ 출제경향
필기 : 출제기준을 참조
실기 : 작업형으로 시행되며 출제기준 및 공개문제를 참조

- 전자제품의 회로스케치, 패턴설계, 회로설계 및 조립작업 등으로 아날로그 및 디지털회로를 이해하여 설계 및 조립할 수 있는지의 능력을 평가

□ 출제기준

□ 취득방법
응시자격

- 관련학과 : 대학의 전자공학, 전자물리학, 전자계산학, 전자전기공학 등 관련학과

- 기술자격 소지자 : 동일직무분야 기사 이상 / 산업기사 이상+1년 / 기능사+3년

- 순수경력자 : 실무경력 4년

- 동일직무분야 : 경영·회계·사무 중 생산관리, 문화·예술·디자인·방송 중 방송, 건설, 기계, 재료, 정보통신, 안전관리, 환경·에너지

시험과목

- 필기

1) 전기자기학
2) 회로이론
3) 전자회로
4) 물리전자공학
5) 전자계산기일반

- 실기

1) 전자회로설계 및 응용

검정방법

- 필기 : 객관식 4지 택일형, 과목당 20문항(과목당 30분)

- 실기 : 작업형(6시간 30분정도)

합격기준

- 필기 : 100점을 만점으로 하여 과목당 40점 이상, 전과목 평균 60점 이상

- 실기 : 100점을 만점으로 하여 60점 이상

제한시간

- 필기 : 150분

- 실기 : 390분

1 과목 : 전기자기학
  • 1. 자계의 세기를 표시하는 단위와 관계 없는 것은?

    • 1A/m
    • 2N/Wb
    • 3Wb/h
    • 4Wb/H·m
  • 2. 질량 m=5×10-10[kg]이고, 전하량 q=2.5×10-8[C]인 전하가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 이 때 가속도를 a=103i +102j 라 하면 전장은?

    • 1E = i + 10j
    • 2E = 20i + 2j
    • 3E = 15i + 10j
    • 4E = 10-2i + 10-7j
  • 3. 두 종류의 유전율(ε1, ε2)을 가진 유전체 경계면에 진전하가 존재하지 않을 때 성립하는 경계조건을 옳게 나타낸 것은? (단, θ1, θ2는 각각 유전체 경계면의 법선벡터와 E1, E2가 이루는 각이다.)

    • 1E1sinθ1=E2sinθ2, D1sinθ1=D2sinθ2,
    • 2E1cosθ1=E2cosθ2, D1sinθ1=D2sinθ2,
    • 3E1sinθ1=E2sinθ2, D1cosθ1=D2cosθ2,
    • 4E1cosθ1=E2cosθ2, D1cosθ1=D2cosθ2,
  • 4. 자기회로의 자기저항에 대한 설명으로 옳은 것은?

  • 5. 높은 주파수의 전자파가 전파될 때 일기가 좋은 날보다 비 오는 날 전자파의 감쇠가 심한 원인은?

  • 6. 스토크스(Stokes)의 정리를 표시하는 일반식은?

  • 7. 평행판 콘덴서의 극판 사이에 유전율이 각각 ε1, ε2인 두 유전체를 반씩 채우고 극판 사이에 일정한 전압을 걸어줄 때 매질 (1), (2) 내의 전계의 세기 E1, E2 사이에 성립하는 관계로 옳은 것은?

  • 8. 코일 A 및 코일 B가 있다. 코일 A의 전류가 1/30초간에 10A 변화할 때 코일 B에 10V의 기전력을 유도한다고 한다. 이 때의 상호인덕턴스는 몇 H 인가?

  • 9. 전계 E(V/m)가 두 유전체의 경계면에 평행으로 작용하는 경우 경계면의 단위면적당 작용하는 힘은 몇 N/m2 인가? (단, ε1, ε2는 두 유전체의 유전율이다.)

  • 10. 자기 벡터포텐셜 (Wb/m) 일 때, , 1 < ρ < 2m, 0 < Z < 5m 표면을 통과하는 전 자속은 몇 Wb 인가? (오류 신고가 접수된 문제입니다. 여기서는 3번을 누르면 정답 처리됩니다.)

  • 11. 반지름 a(m), 권수 N, 길이 ℓ(m)인 무한히 긴 공심 솔레노이드의 인덕턴스는 몇 H 인가?

  • 12. 자유공간 중에서 점 P(2, -4, 5)가 도체면상에 있으며, 이 점에서 전계 E=3ax-6ay+2az[V/m]이다. 도체면에 법선성분 En 및 접선성분 Ei의 크기는 몇 [V/m] 인가?

  • 13. 도체 내에서 변위전류의 영향을 무시할 수 있는 조건은? (단, K : 도전도(導電度) 또는 도전율, ε : 유전율, f : 교번 전자계의 주파수이다.)

  • 14. 공기 중의 원점의 점전하에서 0.5m, 2m 거리의 전위가 각각 30V, 15V일 때 1m 거리인 점의 전위는 몇 V 인가?

  • 15. 전기력선의 성질에 대한 설명 중 옳은 것은?

  • 16. 같은 방향의 전류가 흐르는 두 무한 직선 전류가 일정한 거리 떨어져 있을 때 한 무한 직선 전류에 의해 작용되는 다른 무한직선 전류의 전자력은?

  • 17. 전장이 E=ix2+jy2로 주어질 때 전력선의 궤적 방정식을 나타내는 식은? (단, C는 상수이다.)

  • 18. 반지름 a(m)의 원주도체(투자율 μ) 내부에 균일하게 전류 I(A)가 흐를 때 도체의 단위길이에 저장되는 내부 에너지는 몇 J/m 인가?

  • 19. 대지면에 높이 h로 평행하게 가설된 매우 긴 선전하가 지면으로부터 받는 힘은?

  • 20. 히스테리시스 곡선의 기울기는 다음의 어떤 값에 해당하는가?

2 과목 : 회로이론
  • 21. 그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?

  • 22. 교류 브리지가 평형 상태에 있을 때 L의 값은?

  • 23. 그림의 회로에서 일정 전압(E)에 대해서 L을 변화시킬 때 선로 전류 (I)는 일 경우 어떻게 되는가?

  • 24. 지수함수 e-at의 라플라스 변환은?

  • 25. 테브난의 정리와 쌍대의 관계가 있는 것은?

  • 26. 그림과 같은 T형 회로에서 단자 1-1' 측에서 바라본 개방 임피던스(Z1O) 및 단락 임피던스(Z1S)를 구하면 각각 몇 Ω 인가?

  • 27. RL 및 RC 회로의 과도 상태에 관한 설명 중 틀린 것은?

  • 28. 선형 회로망에서 단자 a, b 간에 200V의 전압을 가할 때 c, d에 흐르는 전류가 10A이었다. 반대로 같은 회로에서 c, d간에 100V를 가하면 a, b에 흐르는 전류는 몇 A 인가?

  • 29. 그림과 같은 회로의 입력 전압의 위상은 출력 전압의 위상에 비해 어떻게 되는가?

  • 30. 하이브리드 h파라미터 중 V1=h11I1+h12V2, I2=h21I1+h22V2가 주어졌을 때 단락 순방향 전류 이득은?

  • 31. 다음과 같은 회로망에서 단자 1, 2에서 바라본 테브난 등가저항의 크기는?

  • 32. 정현파 전압이 인가된 회로의 일부에 Z1, Z2가 직렬로 연결되어 있을 때 교류 전압계로서 Z1, Z2 각각의 양단 전압을 측정하였더니 둘 다 100V 이고, Z1, Z2 전체의 양단 전압이 0V 이면 다음 설명 중 옳은 것은?

  • 33. 의 최종치 정리의 결과값은?

  • 34. 상수 A를 푸리에 변환(Fourier Transform)하면?

  • 35. 기본파의 30%인 제2고조파와 20%인 제3고조파를 포함하는 전압의 왜형률은?

  • 36. 저항 3Ω, 유도 리액턴스 4Ω의 직렬회로에 60Hz의 정현파 전압 180V를 가했을 때 흐르는 전류의 실효치는?

  • 37. 정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파 정류 했을 때의 평균값은?

  • 38. RLC 직렬 회로에서 페이저도(phasor diagram)는?

  • 39. 회로에서 결합계수가 K일 때 상호인덕턴스 M은?

  • 40. 그림과 같은 페이저(phasor)도가 있을 때 등가 임피던스를 구하면?

3 과목 : 전자회로
  • 41. 전압 증폭기에서 A가 기본 증폭회로의 이득이고, β가 귀환회로의 이득일 때, 전압이득이 증가되는 조건은?

  • 42. 변압기의 1차 전압(Vin)이 100Vrms이고, 입력과 출력의 권선비가 10:1일 때, 브리지 정류기에 사용되는 정류다이오드의 최대 역 전압(PIV)은 몇 V 인가?

  • 43. 다음과 같이 미분 연산증폭기에 삼각파 입력이 공급될 때, 출력전압의 범위는?

  • 44. 다음 중 발진회로에 대한 설명으로 적절하지 않은 것은?

  • 45. 발진주파수를 안정시키는 방법으로 적합하지 않은 것은?

  • 46. 그림의 회로에서 R1, R2, R3, Rf가 각각 2kΩ, 3kΩ, 1kΩ, 9kΩ 일 때, 중첩의 원리를 사용하여 출력전압(VO)을 구하면?

  • 47. 저주파 증폭기의 직류 입력은 2kV, 400mA 이고, 효율은 80%일 때 부하에서 나타나는 전력은?

  • 48. 트랜지스터의 직류증폭기에 있어서 드리프트를 초래하는 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?

  • 49. RC 결합 소신호 증폭기에서, 고역 주파수 응답을 구하는 식으로 옳은 것은? (단, 중역이득은 Am이고, 고역차단 주파수는 fh이다.)

  • 50. 단위 이득 주파수(fT)가 260MHz인 트랜지스터가 중간 영역에서 전압이득이 50인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은?

  • 51. 베이스 접지 증폭기 회로에서 전류 증폭율(αo)과 차단 주파수(fo)가 각각 0.97, 1MHz인 트랜지스터가 2MHz로 동작할 때 전류 증폭율(α)은?

  • 52. 다이오드와 커패시터를 사용하여 입력전압의 2배, 3배, 4배로 증가시키는 회로는?

  • 53. 다음 회로에 vi=100sinwt의 입력이 가해질 경우 출력파형의 형태와 최대치 전압으로 가장 적합한 것은? (단, D1, D2는 이상적인 다이오드이다.)

  • 54. 다음 중 플립플롭과 같은 기능을 가지는 회로는?

  • 55. 빈 브리지 발진기에서 R=3.3kΩ, C=5nF일 때 발진 주파수는 몇 kHz 인가?

  • 56. 베이스 변조와 비교한 컬렉터 변조의 특징으로 적합하지 않은 것은?

  • 57. 다음 회로는 한 쌍의 이미터 폴로어가 직렬로 연결된 달링턴 증폭기이다. 전압이득은 1에 근사한 값인데 달링턴 증폭기가 많이 사용되는 이유는?

  • 58. 다음과 같은 클램프(Clamp)회로의 출력 파형으로 가장 적합한 것은? (단, 다이오드는 이상적이고, RC의 시정수는 대단히 크다.)

  • 59. 비안정 멀티바이브레이터 회로에서 출력 전압의 파형은?

  • 60. 전원 정류 회로의 리플 함유율을 작아지게 하는 방법으로서 가장 적당한 것은?

4 과목 : 물리전자공학
  • 61. Ge과 비교하였을 때, Si의 장점이 아닌 것은?

  • 62. 열전자 방출현상에서 전류와 일함수와의 관계를 나타낸 식은?

  • 63. 광전자 방출에 관한 특징과 거리가 먼 것은?

  • 64. 전자의 수가 33인 원자의 가전자 수는?

  • 65. 어떤 물질에 일정한 진동수의 X선을 비추면 그 물질에 의해 산란된 X선 중에서 입사 X선보다 파장이 긴 X선 성분이 포함되는 현상을 무엇이라고 하는가?

  • 66. pn 접합이 충분히 역바이어스 되어있는 경우 접합용량(junction capacitance)과 역바이어스 전압(V)과의 관계로 옳은 것은?

  • 67. 광전자 방출 현상에서 방출된 전자의 운동에너지(Ek)는 다음과 같이 표시된다. 여기서 Ew는 무엇을 의미 하는가? (단, ν는 광자의 주파수, h는 프랭크(plank) 상수이다.)

    Ek = Hv - Ew

  • 68. 반도체의 자유전자는 전도대에 있고, 결합전자는 가전자대에 있을 경우 틀리게 설명한 것은?

  • 69. 27[℃]인 금속 도체에서 페르미 준위보다 0.1eV 상위 및 하위에서 전자가 점유하는 확률은? (단, 볼츠만의 상수(k)는 1.38×10-23 [J/K]이다.)

  • 70. 양자역학의 보어(Bohr) 원자 모형에서 전자의 운동 방경으로 옳은 것은? (단, 주양자수는 n이다.)

  • 71. 서미스터(Thermistor) 소자에 관한 설명 중 틀린 것은?

  • 72. 반도체에 관한 효과에 따른 용도가 틀리게 짝지어진 것은?

  • 73. 열평형상태에 있는 반도체에서 가전자대 정공농도(po)와 전도대 전자농도(no)를 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?

  • 74. MOSFET에 대한 설명 중 틀린 것은?

  • 75. 진성 반도체에 있어서 전도대의 전자밀도(n)는 에너지 갭(Eg)의 크기에 따라 변한다. 다음 전자밀도와 에너지 갭의 관계를 바르게 설명한 것은?

  • 76. 접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(hFE)에 관한 설명 중 틀린 것은?

  • 77. 전계에 의하여 일함수가 작아져 열전자 방출이 쉬워지는 효과는?

  • 78. 진공 속의 알루미늄(Al) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 필요한 최소에너지는 얼마인가? (단, 알루미늄의 일함수는 4.08eV이다.)

  • 79. pn 접합에 관한 설명으로 가장 적합한 것은?

  • 80. 가전자대의 전자밀도가 1025[m-3 ]인 금속에 전류밀도가 107[A/m2]인 전류가 흐르면, 이때의 드리프트 속도는 몇 m/s 인가?

5 과목 : 전자계산기일반
  • 81. MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?

  • 82. 다음 순서도 기호의 기능은?

  • 83. 캐시메모리의 적중(Hit)률이 0.9, 캐시메모리 접근시간이 50ns, 주기억장치 접근시간이 400ns일 때, 평균 기억장치 접근시간은 얼마인가? (단, 캐시 적중여부 판별에 소요되는 시간은 무시한다.)

  • 84. n개의 비트(bit)로 정수를 표시할 때 2의 보수 표현법에 의한 범위를 옳게 나타낸 것은?

  • 85. 2진수의 부동소수점(floating point) 표현에 대한 설명으로 틀린 것은?

  • 86. 1비트의 전가산기는 3개의 입력 A, B, Ci 와 2개의 출력 Sum, Cout로 구성된다. A=0, B=1, Ci=0일 때 출력의 값은?

  • 87. 한번 메모리를 액세스(access)하면 그것이 목적 데이터의 번지이기 때문에 2회 이상의 메모리 액세스(access)가 필요한 주소지정방식은?

  • 88. 목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?

  • 89. push와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device는?

  • 90. JK 플립플롭에서 J=1, K=0으로 입력될 때 Q(t+1) 상태는?

  • 91. 프로그램 카운터가 명령의 주소 부분과 더해져서 유효 주소가 결정되는 주소지정 방식은?

  • 92. 다음 주소 지정 방식 중 데이터 처리가 가장 신속한 것은?

  • 93. 다음과 같은 명령이 순서적으로 주어졌을 때 결과 값은?

    ① push 2
    ② push 3
    ③ push 1
    ④ ADD

  • 94. 다음 중 명령어의 주소 지정방식이 아닌 것은?

  • 95. 기본적인 마이크로프로세서(microprocessor)의 내부 구성요소가 아닌 것은?

  • 96. LCD 방식을 이용하나 박막 트랜지스터를 사용하여 전압을 일정하게 유지해서 안정되고 정교한 화소(pixel)를 구현함으로서 화면이 깨끗하고, 측면에서도 비교적 잘 보이는 장점 때문에 노트북 모니터로 많이 사용되는 것은?

  • 97. T형 플립플롭을 사용하여 5단 계수기를 만들면 몇 개의 펄스까지 계수할 수 있는가?

  • 98. 범용 또는 특수 목적의 소프트웨어를 조합하거나 조직적으로 구성하고, 여러 가지 종류의 원시 프로그램, 목적 프로그램들을 분류하여 정비한 것은?

  • 99. 어셈블리 언어(Assembly language) 명령의 구성 요소와 가장 관계없는 것은?

  • 100. 4비트 데이터를 1의 보수로 표현할 수 있는 수의 범위는?

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