1. 대전 도체 표면전하밀도는 도체 표면의 모양에 따라 어떻게 분포하는가?

• 표면전하밀도는 뾰족할수록 커진다.
• 표면전하밀도는 평면일 때 가장 크다.
• 표면전하밀도는 곡률이 크면 작아진다.
• 표면전하밀도는 표면의 모양과 무관하다.

2. Biot-Savart의 법칙에 의하면, 전류소에 의해서 임의의 한 점(P)에 생기는 자계의 세기를 구할 수있다. 다음 중 설명으로 틀린 것은?

• 자계의 세기는 전류의 크기에 비례한다.
• MKS 단위계를 사용할 경우 비례상수는 1/4π이다.
• 자계의 세기는 전류소와 점 P와의 거리에 반비례한다.
• 자계의 방향은 전류소 및 이 전류소와 점 P를 연결하는 직선을 포함하는 면에 법선방향이다.

3. 일정전압의 직류전원에 저항을 접속하여 전류를 흘릴 때, 저항값을 20% 감소시키면 흐르는 전류는 처음 저항에 흐르는 전류의 몇 배가 되는가?

• 1.0배
• 1.1배
• 1.25배
• 1.5배

4. 내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m 인가?

5. 무한장 솔레노이드에 전류가 흐를 때 발생되는 자장에 관한 설명으로 옳은 것은?

6. N회 감긴 환상코일의 단면적이 S(m²)이고 평균 길이가 ℓ(m)이다. 이 코일의 권수를 2배로 늘이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?

7. x ＞ 0인 영역에 ε₁=3인 유전체, x ＜ 0인 영역에 ε₂=5인 유전체가 있다. 유전율 ε₂인 영역에서 전계가 E₂ = 20a_x + 30a_y - 40a_z V/m 일 때, 유전율 ε₁인 영역에서의 전계 E₁(V/m)은?

8. 자기회로에서 키르히호프의 법칙으로 알맞은 것은? (단, R : 자기저항, ø : 자속, N : 코일 권수, I : 전류이다.)

9. 전계 (V/m)의 평면 전자파가 있다. 진공 중에서 자계의 실효값은 몇 A/m 인가?

10. 공기 중에서 코로나방전이 3.5kV/mm 전계에서 발생된다고 하면, 이 때 도체의 표면에 작용하는 힘은 약 몇 N/m² 인가?

11. 매질 1의 μ_s1=500, 매질 2의 μ_s2=1000이다. 매질 2에서 경계면에 대하여 45°의 각도로 자계가 입사한 경우 매질 1에서 경계면과 자계의 각도에 가장 가까운 것은?

12. 유전율이 ε인 유전체 내에 있는 점전하 Q에서 발산되는 전기력선의 수는 총 몇 개인가?

13. 대지의 고유저항이 ρ(Ω∙m)일 때 반지름 a(m)인 그림과 같은 반구 접지극의 접지저항(Ω)은?

14. 반지름 a(m)의 원형 단면을 가진 도선에 전도전류 i_c=I_csin2πft(A)가 흐를 때 변위전류밀도의 최대값 J_d는 몇 A/m²가 되는가? (단, 도전율은 σ(S/m)이고, 비유전율은 ε_r이다.)

15. 공기 중에서 1m 간격을 가진 두 개의 평행 도체 전류의 단위길이에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 전류는 1A라고 한다.)

16. 전하밀도 ρs(C/m²)인 무한 판상 전하분포에 의한 임의 점의 전장에 대하여 틀린 것은?

17. 히스테리시스 곡선에서 히스테리시스 손실에 해당하는 것은?

18. 한 변의 길이가 ℓ(m)인 정사각형 도체 회로에 전류 I(A)를 흘릴 때 회로의 중심점에서 자계의 세기는 몇 AT/m 인가?

19. 무한장 직선 전류에 의한 자계의 세기(AT/m)는?

20. 다음 (가), (나)에 대한 법칙으로 알맞은 것은?

21. 그림과 같은 회로에서 최대 전력이 공급되기 위한 복소임피던스(Z_L)의 값은?

22. 인덕턴스 0.01H의 코일에 전압 100V인 교류신호를 가하였을 때 이 코일에 흐르는 전류는 몇 A 인가? (단, 주파수는 50㎐이다.)

23. 단위 세기의 임펄스 함수인 δ(t)의 Fourier 변환은?

24. 2개의 4단자 회로를 연결했을 때 전체 임피던스 파라미터가 각각의 임피던스 파라미터의 합으로 표시되었다면 2개의 4단자 회로에 연결 상태로 옳은 것은?

25. t=0일 때 스위치를 닫으면 C에 걸리는 전압의 과도현상을 올바르게 표현한 것은?

26. 에서 정저항 회로가 되기 위한 조건으로 옳은 것은? (단, A₀, A₁, B₀, B₁은 ω의 함수로 실수이다.)

27. 컨덕턴스가 G = G₀ + 2G₁cosω₀t인 회로에 정현파 전압 V = V₀e^jωt을 인가할 때, 전류의 주파수 성분이 아닌 것은?

28. 내부 임피던스가 순저항 50Ω인 전원과 450Ω의 순저항 부하 사이에 임피던스 정합을 위한 이상변압기의 권선비 N1 : N2는?

29. 다음 그림의 회로망에서 V₁(t) = e^-2tu(t)일 때 V₂(t)는? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않다.)

30. 이상변압기의 합성인덕턴스는 얼마인가?

31. 단위 계단함수 u(t)을 라플라스 변환하면?

32. 두 개의 코일 L₁과 L₂을 동일방향으로 직렬 접속하였을 때 합성인덕턴스가 100mH이고, 반대방향으로 접속 하였더니 합성인덕턴스가 40mH 였다. 이때, L₁=60mH이면 결합계수(K)는 약 얼마인가?

33. 회로에서 스위치가 오랫동안 개방되어 있다가 t=0에 닫았을 때 바로 직후의 v_L(0⁺)과 v_C(0⁺)로 적절한 것은? (단, t＜0 에서 v_C=3V이다.)

34. 다음 회로를 테브난의 등가회로로 변환하였을 때, 개방 단자전압(V_ab)은 몇 V 인가?

35. 어떤 회로에서 단자전압이 v=40sinωt+20sin(2ωt+30°)+10sin(3ωt+60°)일 때 실효치는 약 얼마인가?

36. 위상 정수 β가 π/2 [rad/m]인 선로에 대해 10[MHz]의 주파수를 인가한 경우 위상 속도 v[m/s]와 파장 λ[m]을 구하면?

37. 다음 그림과 같은 RLC 병렬공진회로에서 공진주파수(f_r)은?

38. 다음 T형 회로에 대한 임피던스 파라미터인 개방 순방향 전달 임피던스(Z₂₁)의 값으로 옳은 것은?

39. 라플라스 변환식 의 역변환은?

40. 다음 그림과 쌍대가 되는 회로는? (오류 신고가 접수된 문제입니다. 여기서는 3번을 누르면 정답 처리됩니다.)

41. 전력증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?

42. 전계효과트랜지스터(FET) 소신호 모델에서 전달 컨덕턴스(g_m)은?

43. 브리지 전파정류회로에서 출력전압 V_O의 전압은 몇 V 인가? (단, AC 입력 전압 Vin은 실효값이 220V이다.)

44. 다음 전감산기의 진리표에서 출력차(D)와 자리빌림수(B)는?

45. 그림과 같은 증폭기 회로에서 트랜지스터 Q₃의 용도로 올바르게 표현한 것은?

46. 공통 베이스 증폭기의 특징이 아닌 것은?

47. 그림과 같은 플립플롭의 입력단자 T에 클록펄스가 인가될 경우 출력 (Q(t+1))은? (단, 현재 값을 Q(t)로 가정한다.)

48. 슈미트 트리거 회로에 관한 설명 중 틀린 것은?

49. 다음 그림과 같은 연산 증폭기의 기능은 무엇인가?

50. 다음 논리회로를 간략화 한 논리회로는?

51. 다이오드를 사용한 정류회로에서 여러 개의 다이오드를 직렬로 연결사용하여 얻어지는 효과로 가장 올바른 것은?

52. 다음 회로에서 그림과 같은 파형이 입력되었을 때 출력파형의 형태는?

53. 다음과 같은 DTL 논리 회로의 게이트 기능은?

54. 반파 정류된 파형의 평균값은? (단, 입력 전압은 Vp가 1V인 정현파로 가정한다.)

55. 귀환회로에 관한 설명으로 틀린 것은?

56. 트랜지스터의 스위칭 작용에 의해서 발생된 펄스 파형에서 turn-on 시간은?

57. 적분회로로 사용이 가능한 회로는?

58. 다음 회로에서 V_CE = 6.5V이 되기 위한 귀환 저항기(R_b)의 값으로 가장 적당한 것은? (단, 여기서 V_BE=0.7V, β=100이다.)

59. 수정발진기는 수정의 임피던스가 어떠한 성질을 가지게 될 때 가장 안정된 발진을 계속하는가?

60. PLL(phase locked loop)주파수 합성기(frequency synthesizer)의 주요 성능 평가 파라미터에 속하지 않는 것은?

61. 어떠한 물질에서 전자를 방출시키는 직접적인 방법으로 틀린 것은?

62. 도체 또는 반도체에서 Hall 기전력 V_H2, 전류밀도(J) 및 자계(B)사이의 관계를 나타내는 것 중 가장 적절한 것은? (단, R_H는 상수이다.)

63. pnp 트랜지스터의 이미터 효율을 정의한 것은?

64. 반도체는 절대온도 0[K]에서 절연체, 상온에서 절연체와 도체의 중간적 성질을 가진다. 만일 불순물의 농도가 증가하였을 때, 도전율(σ)과 고유저항(ρ)은 어떻게 되는가?

65. 다음 보기의 설명이 나타내는 것은?

66. 외인성 반도체(n형)에서 도너(Donor) 에너지 레벨의 위치는?

67. 진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?

68. 반도체의 특성에 관한 설명 중 틀린 것은?

69. 원자에서 최외각전자 1개를 떼어낼 때 필요한 에너지, 즉 전자를 떼어서 무한대 거리까지 가져가는데 필요한 에너지는 무엇인가?

70. 다음과 같은 원리와 관계되는 것은?

71. 2×10⁴[m/s]의 속도로 운동하는 전자의 드-브로이(de Broglie) 파장은? (단, 프랑크 상수는 6.626 × 10^-34[J·s], 전자의 질량은 9.1 × 10^-31[kg]이다.)

72. 저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?

73. 다음 중 Pauli의 배타율 원리가 만족되는 분포함수는?

74. MOSFET의 채널폭이 공픽층 길이와 거의 같은 크기일 때, 필드 산화막 아래에서 축적된 전하에 의해 문턱전압이 증가하는 효과를 무엇이라고 하는가?

75. n 채널 전계 효과 트랜지스터에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

76. 가전자대의 전자밀도가 10²²[m^-3]인 금속에 전류밀도가 10⁶[A/m²]인 전류가 흐른다면 드리프트 속도는?

77. 열평형 상태인 pn접합 다이오드에서 p영역의 전자밀도를 np 라 하면, n영역의 전자농도 nn은? (단, V_O는 전위장벽, K는 볼츠만 상수, T는 절대온도이다.)

78. 건(Gunn) 다이오드에서 부성저항이 생기는 원인은?

79. pn접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가할 때 나타나는 현상에 관한 설명 중 옳은 것은? (단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 보다는 낮은 범위이다.)

80. 태양광을 DC 전기에너지로 변환하는데 사용하는 반도체 pn접합 소자를 무엇이라 하는가?

81. 레지스터에 내에 저장된 어떤 수를 2배, 4배, 8배 등의 2의 승수에 해당하는 배수를 구할 때 사용할 수 있는 가장 효율적인 연산자는?

82. 1024 × 16 비트의 주기억장치를 가진 컴퓨터에서 MAR(Memory Address Register)과 MBR(Memory Buffer Register)의 비트 수는?

83. FIFO 구조를 가지는 자료의 구조는?

84. 메모리에 관한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

85. 입출력 장치의 인터럽트 신호공급 방식이 아닌것은?

86. 입출력장치에서의 자료처리 방법에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

87. 어셈블리 언어에서 서브루틴을 사용할 때 미리 고려할 사항으로 가장 옳지 않은 것은?

88. CPU의 명령어 구성에서 연산코드(OP코드) 필드가 8 비트라면 총 몇 개의 명령어를 수행할 수 있는가?

89. 니모닉코드로 나타나 있는 명령어를 기계가 알 수 있는 2진수로 변환하는 기능을 하는 프로그램은?

90. 스택(Stack)의 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

91. 데이터 인출(Data Fetch)을 위해서 메모리를 참조할 필요가 없는 명령어의 주소지정방식은?

92. CPU의 내부구조를 나타내는 레지스터 중 메모리로부터 읽은 명령어를 보관하는 레지스터는?

93. CPU의 연산장치에 속하는 레지스터가 아닌것은?

94. 컴파일러에 의해 컴파일 된 목적프로그램의 설명으로 가장 옳은 것은?

95. 마스크(mask)를 이용하여 비수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?

96. 다음의 프로그래밍 언어 중 객체지향 언어에 속하지 않는 것은?

97. 컴파일러에서 하나의 프로그램이 처리되는 과정을 옳게 나열한 것은?

98. 마이크로프로세서의 특징이라고 볼 수 없는 것은? (오류 신고가 접수된 문제입니다. 여기서는 3번을 누르면 정답 처리됩니다.)

99. (42)10를 8비트 2진수로 나타낸 경우 1비트 산술적 우측 시프트 하였을 때의 값을 10진수로 나타내면?

100. 다음 논리도가 나타내는 회로는?