트랜지스터의 발명

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1948년 미국 벨전화연구소의 W.H.Barttain, J.Bardeen 및 W.Shockley는 반도체 격자구조의 시편에 가는 도체선을 접촉시켜 주면 전기신호의 증폭작용을 나타내는 것을 발견하여 이를 트랜지스터라고 명명하였다.
이것이 그 동안 신호증폭의 구실을 해 오던 진공관과 대치되는 트랜지스터의 시초가 된 것이다.
트랜지스터 그 자체가 소형이어서 이를 사용하는 기기는 진공관을 사용할 때에 비하여 소형이 되며, 가볍고 소비전력이 적어 편리하다. 초기에는 잡음·주파수 특성이 나쁘고, 증폭도도 충분하지 못하였으나, 그 후 많이 개량되어 아주 대전력을 다룰 수 있는 등 특수한 경우를 제외하고는 진공관에 대치되었다.

1. 1948년 미국의 벨 전화 연구소에서 탄생
1948년에 트랜지스터가 발명되었으며 당시 전자 공업계에 상당한 충격을 주었다. 그로부터 전자 산업은 빠르게 발전하기 시작했으며 오늘날 일렉트로닉스 시대의 개막에 시초가 되었다. 그 후의 컴퓨터를 시작으로 전자공학의 급속한 발전은 우리의 생활을 편리하고 풍부하게 해 주었다. 트랜지스터의 발명에 공헌한 세 명의 물리학자가 노벨상을 수상한 것은 어쩌면 당연하다 할 수 있겠다.
앞으로 트랜지스터에 필적할 정도의 것이 또다시 발명될 수 있을 것인지 아무도 장담할 수 없을 것이다. 그만큼 트랜지스터의 발명은 현대에 큰 영향을 주었다고 말할 수 있겠지요.

2. 게르마늄에서 실리콘으로 발전.
트랜지스터는 당초 게르마늄이라는 반도체로 만들어졌으나 게르마늄은 약 80℃정도의 온도밖에 견디지 못하는 결점이 있었다. 이 때문에 지금에 와서는 거의 실리콘을 이용하고 있으며 실리콘은 약 180℃ 이상의 온도에도 견딜 수 있는 물질이다.

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