[Photolithography]Lithography

소개글

사진공정의 전반적인 내용을 다루었으며 Photo reist특성, e-beam, x-ray, ion-beam등의 내용을 다루며 차세대 사진공정, CD및 resolution의 구현을 위한 여러가지 이론 및 방법등등... 을 다루고 있습니다.
참고 잘하세요..

목차

1. Photolithography Overview
2. Critical Dimension, Overall Resolution, Line Width
3. Lithographic sensitivity and Intrinsic Resist Sensitivity
4. Resist Profile
5. 사진공정의 민감도의 실험적 결정 및 선명도
6. 사진공정에서의 해상도(Resolution)
7. Photolithography Resolution Enhancement Technology
8. Beyond Moores` Law
9. Next-Generation Lithography
10. Emerging Lithography Technologies
11. Example

본문내용

Ⅰ. Photolithography Overview

포토공정은 IC산업에서 MASK위의 pattern을 film 위에 구현을 하고 그 film은 후속으로 barrier 역할을 한다. 아래 그림은 전반적인 공정 순서를 말하고 있다.

1) Masks
-wafer 위에 pattern을 구현하기 위한 모체가 되는 pattern을 반복적으로 사용할 수 있게 만든 평판으로 정의한다.
-마스크는 음양에 따라서 Dark filed와 Light field 로 나눌 수 있다.
-마스크는 종류에 따라 하드마스크와 에멀젼마스크로 구분할 수 있다.
2.) Spinning Resist and Soft Baking
K= overall calibration constant
C= polymer concentration in g/100mL solution(농도)
η= intrinsic viscosity(점성) 오메가= rotations per minute (rpm)
-점성 및 농도가 클수록 두께는 두꺼워지며 Spin 속도에 따라 두께가 작아진다.
-PR-coating 후에 PR 속에 남아 있는 solvent를 기화시켜주며 Pattern의 profile 및 substrate와 adhesion을 증가시켜 주기 위해 진행하는 중요한 공정이다.

참고 자료

"photolithography"라는 제목의 83장의 ppt 문서를 참고하시면 좀더 이해하시는데 도움이 되며 책"Fundamentals of MICROFABRICATION" 이란 제목의 저자 MarcJ. Madou를 참고하세요.