아주대학교 A+전자회로실험 실험7 결과보고서

소개글

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목차

1. 실험목적
2. 실험 결과
3. 이론, Simulation, 실제 결과 비교 및 오차율 계산
4. 결과 및 오차의 원인 분석
5. 실험 고찰 및 결론
6. 참고문헌

본문내용

이번 실험은 이론의 계산 값이 없다. mosfet의 parameter에 따라 값이 달라지기 때문이다. 따라서 시뮬레이션 결과와 경향성을 비교해야한다. 입력파형은 삼각파형이고, 출력파형도 삼각파형이다. 이는 class A의 특징이다. 피스파이스와 실제 실험값의 전압은 미세한 크기인 노드 A를 빼고 거의 같다. 전류는 모두 작은 단위인 라, 오차가 크다. 작은 scale값은 작은 noise에도 매우 민감하게 반응한다. 따라서 오실로스코프, DMM, 빵판, IC 소자, 다이오드, 저항 등 내부 임피던스의 영향을 많이 받아서 이런 오차가 나왔다. 그러나 전반적으로 비슷한 경향이고 scale도 같으므로 성공적인 실험이다.
signal operation 결과를 보자. 시뮬레이션과 오차가 4% 이하로 거의 같다. 세 노드 S, A, B에서의 전압 이득 수치는 실제 실험값과 시뮬레이션 결과 모두 1 근처이다. 영상에서는 오실로스코프 한계에 의해 최대 5만 인가했다. 따라서 포화되는 지점을 확인할 수 없었다. 영상의 XY 모드 그래프는 직선인 영역만 나왔다.

참고 자료

Behzad Razavi. (2014). Microelectronics (2nd ed., pp. 321-353). WiLey.