전자응용실험 8장 예비 [MOSFET Subthreshold 특성 측정]

목차

1. 실험 목적
2. 기초 이론
3. 예비 과제

본문내용

1. 실험 목적
MOSFET의 subthreshold slope을 측정한다.

2. 기초 이론
선형 및 포화 영역은 MOSFET 채널이 strong inversion된 상황이고, subthreshold 영역은 weak inversion에서 동작한다. 요즈음과 같이 저전압, 저전력이 요구되는 상황에서는 많은 전력 소모가 일어나는 포화 영역보다는 아주 미소한 전류가 흐르는 subthreshold 영역을 활용하는 경우가 많아지게 되었다. 만약 게이트 전압이 문턱전압보다 큰 경우, 즉 strong inversion에서는 채널에서의 전자는 수평 전계에 의한 drift에 의해 움직여 다음과 같은 식을 만족한다.

참고 자료

없음