3주차-실험2 예비 - BJT DC 특성

목차

1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 예비실험

본문내용

트랜지스터는 PN Junction Diode의 응용입니다. 왜냐하면 P형 반도체와 N형 반도체의 접합에 다시 N형이나 P형 반도체를 붙여서 만들었기 때문입니다.
하지만 사실 요즘 FET(Field-effect Transistor)가 대세라서 점차 BJT가 밀리고 있지만 FET가 나오는 기반을 마련해준 것이 BJT입니다. 
회로 기호와 종류는 아래 그림입니다.

위와 같이 NPN형과 PNP형 2가지 종류가 있습니다. 3개의 단자를 가지게 되는데 각각 Base, Collector, Emitter 라고 합니다.
회로기호에서 이미터에 화살표가 그려져 있는데 이는 전류가 흘러가는 방향을 나타내는 것입니다.
(그림에 회색으로 더 자세하게 전류의 방향을 다시 그렸습니다.)
또한 중요하게 봐야 할 것은 이미터는 컬렉터와 다르게 '+'가 기호가 붙어있는데 이는 더 짙은 농도로 도핑(doping)이 되었다는 것을 의미합니다.
컬렉터와 같은 농도의 doping이라면 극성의 구분이 없어져버려서 극성 구분의 의미가 사라져버리게 되므로 이미터는 좀 더 짙은 농도로 도핑(doping)을 하게 됩니다.
그럼 일단 트랜지스터가 내부적으로 어떻게 동작하는지 왜 그렇게 되는지 알아보도록 하겠습니다. 

NPN TR의 Active mode의 동작을 위의 그림에서 설명하고 있습니다.
PNP TR이나 NPN TR는 Active mode에서 동작하기 위해서는 위와 같이 E-B에 순방향 전압(Forward bias)를
걸어주고, C-B에는 역방향 전압(Reverse bias)를 걸어주어야 합니다.
일단 NPN TR이다 보니 전류의 주된 원인은 전자 입니다.
(사실 정공도 기여를 하지만 전자가 더 많이 기여합니다. 즉, PNP TR에서는 정공이 전류의 주된 역할을 하게 됩니다.)
본래 평형상태에서는 이미터와 베이스 사이에 공핍층이 형성되어있기 때문에 전자가 이미터에서 베이스로 쉽게 넘어가지 못하지만 위와 같이 순방향 전압을..

<중 략>

참고 자료

없음