논리회로실험 예비보고서9

소개글

"논리회로실험 예비보고서9"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험에 대한 이론
3. 실험부품
4. 실험절차 및 예상결과
5. 참고 문헌
6. 회로결선도

본문내용

1. 실험 목적
·반도체 memory의 기본적인 동작 원리를 알아보고 16-bit 기억 소자의 동작을 실험을 통해 확인한다.

2. 실험에 대한 이론
·RAM
Random Access Memory의 약자로 전원이 끊어지면 휘발유처럼 기록된 정보도 날아가기 때문에 휘발성 메모리(Volatile Memory)라고 한다. 따라서 RAM은 컴퓨터의 주기억장치, 응용 프로그램의 일시적 로딩(loading), 데이터의 일시적 저장 등에 사용된다. 기존의 자기를 이용한 자기 코어와 달리 TR(트랜지스터)를 집적한 IC를 이용하여 기억소자로 사용하고 읽을 때 순차적이 아닌 랜덤하게 읽을 수 있기 때문에 읽기 또는 쓰기 속도가 매우 빠르다. 기록과 해독의 두 회로가 있어서 정보의 기록, 해독이 가능하고 컴퓨터나 주변 단말기기의 기억장치에 널리 쓰인다. 대표적인 RAM의 종류에는 DRAM, SRAM이 있다.

-SRAM :　S(Static)램은 전원이 공급되는 한 기억된 데이터가 지워지지 않는다. 플립플롭 방식의 메모리 셀을 가진 임의 접근 기억장치로서 전원 공급이 계속되는 한 저장된 내용을 계속 기억하며, 복잡한 재생 클록(refresh clock)이 필요 없기 때문에 소용량의 메모리나 캐시메모리에 주로 사용된다. 소비전력이 적고 D램에 비해 정보처리속도가 6배나 빨라 주로 PC의 수치계산 용도로 이용된다. 교환기의 메모리로도 활용된다.

참고 자료

디지털 디자인, John F. Wakerly, 사이텍미디어
데이터시트, (http://www.datasheet.kr)
논리회로 강의노트
논리회로실험 강의노트
네이버 지식백과