아주대학교 논리회로실험 / 9번 실험 RAM 예비보고서
- 최초 등록일
- 2021.07.20
- 최종 저작일
- 2020.12
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소개글
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목차
1. 회로 결선도
2. 실험 목적
3. 실험 도구 및 소자
4. 실험 이론
5. 실험 과정 및 예상 결과
6. 참고 문헌
본문내용
1. 실험 이론
Memory (메모리)
메모리의 읽기 동작
메모리의 쓰기 동작
메모리는 컴퓨터, 기타 신호처리 장치, 디지털 신호 프로세서에 사용되는 데이터와 명령을 일시적으로 저장할 수 있고 저장된 데이터를 읽을 수도 있다. 또 저장된 데이터는 새로운 데이터가 입력되는 경우를 제외하면 입출력할 때 변경되지 않는다. 본 실험에서 다루게 되는 반도체 메모리 (IC Memory)는 바둑판 모양으로 배역된 메모리 셀로 구성되며 셀의 위치를 지정하기 위해 2진 부호로 된 주소를 사용한다. 메모리의 어ᄄᅠᆫ 위치에 데이터를 넣거나 읽을 때는 반드시 주소를 지정해야 한다. 한 주소로 1비트 뿐만 아니라 여러 비트로 된 워드를 동시에 써넣어도 읽어낼 수 있다.
메모리 버퍼 레지스터 (MAR)가 지정하는 주소의 메모리 내용을 읽는 동작 순서는 기본적으로 선택된 워드의 주소를 MAR로 전송하고 읽기 제어신호를 동작시키는 2개 동작으로 이해할 수 있다. 위 사진을 예시로 생각해보면 MAR에 지정된 2진수는 10진수로 46이므로 MAR이 지정하는 메모리 주소는 46번지가 된다. 46번지의 데이터를 읽는 것이다. 메모리의 쓰기 동작은 이 반대이다. 지정된 메모리의 주소를 MAR로 전송하고 저장하려는 데이터 비트를 MBR로 전송한 후 쓰기 제어신호를 동작시키면 46번지에 데이터 비트가 저장된다.
참고 자료
아주대학교 논리회로 실험 강의 노트 (2020)
임석구 외 1인 공저, 『디지털 논리회로 (이론, 실습, 시뮬레이션)』, 제 2판, 2009 .p540-579
wikipedia, (2020.11.03.), (2020.11.03.), ‘RAM’, https://en.wikipedia.org/wiki/RAM
ALLDATASHEET, (2020.11.03.), (2020.11.03.),
‘74HC00’, https://www.alldatasheet.co.kr/view.jsp?Searchword=74HC00
‘74HC03’, https://www.alldatasheet.co.kr/view.jsp?Searchword=74HC03
‘74HC670’, https://www.alldatasheet.co.kr/view.jsp?Searchword=74HC670
